Basket

0043926 - ÚPT 2007 RIV US eng J - Journal Article
Frank, Luděk - Müllerová, Ilona - Valdaitsev, D. - Gloskovskii, A. - Nepijko, S. - Elmers, H. - Schönhense, G.
The origin of contrast in the imaging of doped areas in silicon by slow electrons.
[Původ kontrastu v zobrazení dopované oblasti křemíku pomocí pomalých elektronů.]
Journal of Applied Physics. Roč. 100, č. 9 (2006), 093712:1-5. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
R&D Projects: GA ČR GA202/04/0281
Institutional research plan: CEZ:AV0Z20650511
Keywords : PEEM * dopant contrast * silicon * semiconductors
Subject RIV: JA - Electronics ; Optoelectronics, Electrical Engineering
Impact factor: 2.316, year: 2006
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0136817