0566394 - ÚPT 2023 RIV CZ cze L - Prototype, f. module
Sháněl, O. - Schneider, M. - Řiháček, Tomáš - Radlička, Tomáš
Si3Nx fázová destička pokrytá vodivou vrstvou.
[Si3Nx phase plates covered by conductive layer.]
Internal code: APL-2022-15 ; 2022
Technical parameters: Křemíkový čip nesoucí tenkou nitridovou membránu, která je pokrytá tenkou vodivou molybdenovou vrstvou. Otvor membrány je čtvercového tvaru o rozměru 100×100 µm. Z membrány je vytvořena fázová destička tím, že je v jejím středu udělaný otvor optimalizovaných rozměrů pomoci technologie fokusovaného iontového svazku. Tloušťka molybdenové vrstvy je optimalizovaná pro výsledný fázový posuv pi/2. Součástí funkčního vzorku je modifikovaný držák apertur, který umožňuje její umístění do zadní ohniskové roviny transmisního elektronového mikroskopu.
Economic parameters: Funkční vzorek realizovaný při řešení grantu, s předpokladem smluvního využití s vědeckým a ekonomickým přínosem i po jeho ukončení. Kontakt: Mgr. Tomáš Radlička, Ph.D.
R&D Projects: GA TA ČR(CZ) TN01000008
Institutional support: RVO:68081731
Keywords : transmission electron microscopy * phase plate * silicon nitride * thin layers
OECD category: Electrical and electronic engineering
Permanent Link: https://hdl.handle.net/11104/0337734