0099074 - FZÚ 2008 RIV SK eng C - Conference Paper (international conference)
Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Kuldová, Karla - Oswald, Jiří - Vyskočil, Jan - Mates, Tomáš - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Properties of single and double InAs quantum dot structures with strain reducing In_xGa_1-xAs matrix and covering layers.
[Vlastnosti struktur s jednoduchými a dvojitými InAs kvantovými tečkami a InGaAs zárodečnými a krycími vrstvami redukujícími pnutí.]
EW-MOVPE XII. Bratislava: Institut of Electrical Engineering, 2007, s. 343-346. ISBN N.
[European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy /12./. Bratislava (SK), 03.06.2007-06.06.2007]
R&D Projects: GA ČR GA202/06/0718; GA ČR GA202/05/0242; GA AV ČR IAA100100719; GA AV ČR KJB101630601
Institutional research plan: CEZ:AV0Z1010914
Keywords : quantum dot * InAs * InGaAs * MOVPE
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0157817