Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0582326 - ÚJF 2024 CZ eng D - Dizertace
    Jagerová, Adéla
    Nanostructuring of monocrystalline ZnO with energetic ion beams for novel optical functional materials.
    Ústav jaderné fyziky AV ČR, v. v. i. Obhájeno: Přírodovědecká fakulta UJEP v Ústí nad Labem. 14.03.2023. - Ústí nad Labem: Univerzita Jana Evangelisty Purkyně v Ústí nad Labem, 2023. 126 s.
    Institucionální podpora: RVO:61389005
    Klíčová slova: semiconductors * ZnO * ion beam modification * damage accumulation * surface nanostructuring * Au nanoparticles
    Obor OECD: Atomic, molecular and chemical physics (physics of atoms and molecules including collision, interaction with radiation, magnetic resonances, Mössbauer effect)
    Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0350440
     
     
  2. 2.
    0539468 - ÚJF 2022 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
    Mikšová, Romana - Jagerová, Adéla - Malinský, Petr - Harcuba, P. - Veselý, J. - Holý, V. - Kentsch, U. - Macková, Anna
    Multi-direction channelling study of the Ag:YSZ nanocomposites prepared by ion implantation.
    Vacuum. Roč. 184, FEB (2021), č. článku 109773. ISSN 0042-207X. E-ISSN 1879-2715
    Grant CEP: GA MŠMT LM2015056; GA ČR GA18-03346S
    Institucionální podpora: RVO:61389005
    Klíčová slova: Ag-ion implantation * Yttria-stabilised zirconia * damage accumulation * strain relaxation * nanoparticles
    Obor OECD: Materials engineering
    Impakt faktor: 4.110, rok: 2021
    Způsob publikování: Omezený přístup
    https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2020.109773
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0317204
     
     
  3. 3.
    0520868 - ÚJF 2020 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Macková, Anna - Malinský, Petr - Jagerová, Adéla - Mikšová, Romana - Nekvindová, P. - Cajzl, J. - Rinkeviciute, E. - Akhmadaliev, S.
    Damage formation and Er structural incorporation in m-plane and a-plane ZnO.
    Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Roč. 460, č. 12 (2019), s. 38-46. ISSN 0168-583X. E-ISSN 1872-9584.
    [28th International Conference on Atomic Collisions in Solids (ICACS) / 10th International Symposium on Swift Heavy Ions in Matter (SHIM). Caen, 01.07.2018-07.07.2018]
    Grant CEP: GA MŠMT EF16_013/0001812; GA MŠMT LM2015056; GA ČR GA18-03346S
    Institucionální podpora: RVO:61389005
    Klíčová slova: a-Plane and m-Plane ZnO doped * damage accumulation asymmetry * Er ion implantation in ZnO
    Obor OECD: Atomic, molecular and chemical physics (physics of atoms and molecules including collision, interaction with radiation, magnetic resonances, Mössbauer effect)
    Impakt faktor: 1.270, rok: 2019
    Způsob publikování: Omezený přístup
    https://doi.org/10.1016/j.nimb.2018.10.003
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0305522
     
     
  4. 4.
    0510350 - ÚFM 2020 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
    Horst, O.M. - Ruttert, B. - Bürger, D. - Heep, L. - Wang, H. - Dlouhý, Antonín - Theisen, W. - Eggeler, G.
    On the rejuvenation of crept Ni-Base single crystal superalloys (SX) by hot isostatic pressing (HIP).
    Materials Science and Engineering A Structural Materials Properties Microstructure and Processing. Roč. 758, JUN (2019), s. 202-214. ISSN 0921-5093. E-ISSN 1873-4936
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_025/0007304
    Institucionální podpora: RVO:68081723
    Klíčová slova: Single crystal Ni-Based superalloys * Creep * Hot isostatic pressing * Rejuvenation * Rafting * Damage accumulation
    Obor OECD: Materials engineering
    Impakt faktor: 4.652, rok: 2019
    Způsob publikování: Open access
    https://doi.org/10.1016/j.msea.2019.04.078
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0300888
     
     
  5. 5.
    0504789 - ÚJF 2020 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
    Macková, Anna - Malinský, Petr - Jagerová, Adéla - Mikšová, Romana - Sofer, Z. - Klímová, K. - Mikulics, M. - Bottger, R. - Akhmadaliev, S. - Oswald, Jiří
    Damage accumulation and implanted Gd and Au position in a- and c-plane GaN.
    Thin Solid Films. Roč. 680, č. 6 (2019), s. 102-113. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
    Grant CEP: GA MŠMT EF16_013/0001812; GA MŠMT LM2015056; GA ČR GA18-03346S
    Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:61389005
    Klíčová slova: Implanted (0001) and (11-20) GaN * Damage accumulation asymmetry in GaN * Ion implantation in semiconductors * RBS channelling * Damage-depth profiling
    Obor OECD: Nuclear physics; Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) (FZU-D)
    Impakt faktor: 2.030, rok: 2019
    Způsob publikování: Omezený přístup
    https://doi.org/10.1016/j.tsf.2019.04.035
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0296342
     
     
  6. 6.
    0503529 - ÚFP 2019 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Makhotkin, I.A. - Milov, I. - Chalupský, J. - Tiedtke, K. - Enkisch, H. - de Vries, G. - Scholze, F. - Siewert, F. - Sturm, J.M. - Nikolaev, K. V. - van de Kruijs, R.W.E. - Smithers, M.A. - van Wolferen, H.A.G.M. - Keim, E.G. - Louis, E. - Jacyna, I. - Jurek, M. - Klinger, D. - Pełka, J.B. - Juha, Libor - Hájková, V. - Vozda, V. - Burian, Tomáš - Saksl, K. - Faatz, B. - Keitel, B. - Plönjes, E. - Schreiber, S. - Toleikis, S. - Loch, R. - Hermann, M. - Strobel, S. - Donker, R. - Mey, T. - Sobierajski, R.
    Damage accumulation in thin ruthenium films induced by repetitive exposure to femtosecond XUV pulses below the single-shot ablation threshold.
    Journal of the Optical Society of America. B. Roč. 35, č. 11 (2018), s. 2799-2805. ISSN 0740-3224. E-ISSN 1520-8540
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LM2015083; GA MŠMT LTT17015; GA MŠMT EF16_013/0001552; GA ČR GPP205/11/P712
    GRANT EU: European Commission(XE) 654148 - LASERLAB-EUROPE
    Institucionální podpora: RVO:61389021
    Klíčová slova: interaction of femtosecond XUV pulses * single-shot ablation threshold * damage accumulation in thin ruthenium films
    Obor OECD: Optics (including laser optics and quantum optics)
    Impakt faktor: 2.284, rok: 2018
    https://www.nature.com/articles/s41598-018-36176-8
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0295348
     
     
  7. 7.
    0497873 - FZÚ 2019 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Makhotkin, I.A. - Milov, I. - Chalupský, Jaromír - Tiedtke, K. - Enkisch, H. - de Vries, G. - Scholze, F. - Siewert, F. - Sturm, J.M. - Nikolaev, K. - van de Kruijs, R.W.E. - Smithers, M.A. - van Wolferen, H.A.G.M. - Keim, E.G. - Louis, E. - Jacyna, I. - Jurek, M. - Klinger, D. - Pelka, J. B. - Juha, Libor - Hájková, Věra - Vozda, Vojtěch - Burian, Tomáš - Saksl, Karel - Faatz, B. - Keitel, B. - Ploenjes, E. - Schreiber, S. - Toleikis, S. - Loch, R. - Hermann, M. - Strobel, S. - Donker, R. - Mey, T. - Sobierajski, R.
    Damage accumulation in thin ruthenium films induced by repetitive exposure to femtosecond XUV pulses below the single-shot ablation threshold.
    Journal of the Optical Society of America. B. Roč. 35, č. 11 (2018), s. 2799-2805. ISSN 0740-3224. E-ISSN 1520-8540
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GA17-05167s; GA MŠMT LG15013; GA ČR(CZ) GA14-29772S
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: interaction of femtosecond XUV pulses * single-shot ablation threshold * damage accumulation in thin ruthenium films
    Obor OECD: Optics (including laser optics and quantum optics)
    Impakt faktor: 2.284, rok: 2018
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0290344
     
     
  8. 8.
    0497102 - ÚJF 2019 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
    Macková, Anna - Malinský, Petr - Jagerová, Adéla - Sofer, Z. - Klímová, K. - Sedmidubský, D. - Mikulics, M. - Bottger, R. - Akhmadaliev, S.
    Damage accumulation and structural modification in c-plane and a-plane GaN implanted with 400 keV Kr and Gd ions.
    Surface and Coatings Technology. Roč. 355, SI (2018), s. 22-28. ISSN 0257-8972.
    [International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams (SMMIB). Lisbon, 09.07.2017-14.07.2017]
    Grant CEP: GA MŠMT EF16_013/0001812; GA MŠMT LM2015056; GA ČR GA15-01602S
    Institucionální podpora: RVO:61389005
    Klíčová slova: GaN damage accumulation * structure modification in c-plane and a-plane * GaN * RBS channeling studies of implanted GaN
    Obor OECD: Nuclear physics
    Impakt faktor: 3.192, rok: 2018
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0289694
     
     
  9. 9.
    0496731 - ÚJF 2019 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Macková, Anna - Malinský, Petr - Jagerová, Adéla - Sofer, Z. - Sedmidubský, D. - Klímová, K. - Bottger, R. - Akhmadaliev, S.
    Damage accumulation and structural modification in a- and c-plane GaN implanted with 400-keV and 5-MeV Au+ ions.
    Surface and Interface Analysis. Roč. 50, č. 11 (2018), s. 1099-1105. ISSN 0142-2421. E-ISSN 1096-9918.
    [17th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis (ECASIA 2017). Monpellier, 24.09.2017-29.09.2017]
    Grant CEP: GA MŠMT EF16_013/0001812; GA MŠMT LM2015056; GA ČR GA15-01602S
    Institucionální podpora: RVO:61389005
    Klíčová slova: damage accumulation in GaN * RBS channeling in ion-modified GaN * structure modification in c-plane and a-plane GaN
    Obor OECD: Nuclear physics
    Impakt faktor: 1.319, rok: 2018
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0289383
     
     
  10. 10.
    0482438 - ÚTAM 2019 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
    Minster, Jiří - Šperl, Martin - Šepitka, J.
    Creep damage index as a sensitive indicator of damage accumulation in thermoplastic laminates.
    Journal of Reinforced Plastics and Composites. Roč. 37, č. 3 (2018), s. 147-154. ISSN 0731-6844. E-ISSN 1530-7964
    Institucionální podpora: RVO:68378297
    Klíčová slova: damage accumulation * thermoplastic laminate * cyclic tensile loading * time-dependent properties * microindentation
    Obor OECD: Audio engineering, reliability analysis
    Impakt faktor: 1.786, rok: 2018
    https://doi.org/10.1177/0731684417735184
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0277924
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.