Výsledky vyhledávání
- 1.0585148 - FZÚ 2025 RIV CZ cze L - Prototyp, funkční vzorek
Hubáček, Tomáš - Hospodková, Alice
Funkční vzorek Gfunk rychlého scintilátoru na bázi InGaN/GaN mnohonásobných kvantových jam.
[Functional sample - fast decay scintillator based on InGaN/GaN multiple quantum wells.]
Interní kód: FW03010298-V22 ; 2022
Technické parametry: dominant fast decay component of photoluminescence with 0.5 ns time constant
Ekonomické parametry: Výsledek je využíván příjemcem CRYTUR, s.r.o. (25296558), a spolupříjemci Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. (68378271), ekonomické parametry se neuvádí.
Grant CEP: GA TA ČR(CZ) FW03010298
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InGaN/GaN scintilator
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0352883 - 2.0585049 - FZÚ 2025 RIV CZ cze L - Prototyp, funkční vzorek
Hubáček, Tomáš - Hospodková, Alice
FW03010298-V25: Nitridová heterostruktura pro zobrazení ionizujícího záření.
[FW03010298-V25: Nitride heterostructure for ionized radiation imaging.]
Interní kód: FW03010298-V25 ; 2023
Technické parametry: Užitným parametrem výstupu bylo dosažení prostorového rozlišení při buzení RTG nižšího než 2 μm
Ekonomické parametry: Výsledek je využíván příjemcem CRYTUR, s.r.o. (25296558), a spolupříjemci Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. (68378271), ekonomické parametry se neuvádí.
Grant CEP: GA TA ČR(CZ) FW03010298
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: scintillator * GaN * image resolution
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0352884 - 3.0585048 - FZÚ 2025 RIV CZ cze L - Prototyp, funkční vzorek
Hubáček, Tomáš - Hospodková, Alice
FW03010298-V24: GaN podkladové vrstvy na YAP, GaGG.
[FW03010298-V24: GaN buffer layers on YAP, GaGG.]
Interní kód: FW03010298-V24 ; 2023
Technické parametry: Strukturovaná GaN vrstva připravená epitaxně na substrátu GaGG
Ekonomické parametry: Výsledek je využíván příjemcem CRYTUR, s.r.o. (25296558), a spolupříjemci Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. (68378271), ekonomické parametry se neuvádí.
Grant CEP: GA TA ČR(CZ) FW03010298
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: cintillators * GaN * GaGG * YAP
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0352885 - 4.0583049 - FZÚ 2024 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Vaněk, Tomáš - Hospodková, Alice - Blažek, K. - Hulicius, Eduard
Hybrid detector based on MOVPE grown InGaN/GaN MQW + BGO.
21. konference českých a slovenských fyziků - Proceedings. Košice: Slovak Physical Society, 2023 - (Džubinská, A.; Reiffers, M.), s. 49-52. ISBN 978-80-89855-21-6.
[Conference of Czech and Slovak Physicists /21./. Bratislava (SK), 04.09.2023-07.09.2023]
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE InGaN/GaN * scintillator * detector
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://kis.cvt.stuba.sk/arl-stu/sk/detail-stu_us_cat-0106937-21st-Conference-of-Czech-and-Slovak-Physicists/?disprec=1&iset=2
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0351047 - 5.0572001 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Gedeonová, Zuzana - Hubík, Pavel - Hývl, Matěj - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Košutová, Tereza
Electron transport properties in high electron mobility transistor structures improved by V-Pit formation on the AlGaN/GaN interface.
ACS Applied Materials and Interfaces. Roč. 15, č. 15 (2023), s. 19646-19652. ISSN 1944-8244. E-ISSN 1944-8252
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA ČR(CZ) GF22-28001K; GA MŠMT LM2023051
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: HEMT * GaN * AlGaN * metal-organic vapor phase epitaxy * dislocations * electron mobility
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 9.5, rok: 2022
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0342845Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0572001.pdf 0 4.8 MB CC Licence Vydavatelský postprint povolen - 6.0569330 - FZÚ 2024 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Gedeonová, Zuzana - Hubík, Pavel - Mareš, Jiří J. - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Kuldová, Karla - Hulicius, Eduard
Electron mobility in GaN layers and HEMT structure optimized by MOVPE technological parameters.
Journal of Crystal Growth. Roč. 605, March (2023), č. článku 127061. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA ČR(CZ) GF22-28001K
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: HEMT * GAN * metalorganic vapor phase epitaxy
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.8, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.127061
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0342034 - 7.0568265 - FZÚ 2023 RIV DE eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Čížek, J. - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Dominec, Filip - Kuldová, Karla - Liedke, M.O. - Butterling, M. - Wagner, A.
Formation of Ga vacancies in MOVPE prepared GaN layers.
Abstract book of the International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /20./ - ICMOVPE XX. Stuttgart: University of Stuttgart, 2022 - (Jetter, M.; Scholz, F.). s. 28-28
[International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy ICMOVPE XX /20./. 10.07.2022-14.07.2022, Stuttgart]
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * GaN * vacancies * positron annihilation spectroscopy
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0339595 - 8.0568264 - FZÚ 2023 RIV DE eng A - Abstrakt
Batysta, Jan - Hospodková, Alice - Hubáček, Tomáš - Hájek, František - Kuldová, Karla
Compensation of strain in InGaN/GaN QWs by AlGaN layer.
Abstract book of the International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /20./ - ICMOVPE XX. Stuttgart: University of Stuttgart, 2022 - (Jetter, M.; Scholz, F.). s. 200-200
[International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy ICMOVPE XX /20./. 10.07.2022-14.07.2022, Stuttgart]
Grant CEP: GA TA ČR(CZ) FW03010298
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * InGaN/GaN * quantum wells * strain
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0339593 - 9.0567935 - FZÚ 2023 RIV PL eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Čížek, J. - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Dominec, Filip - Kuldová, Karla - Liedke, M.O. - Butterling, M. - Wagner, A.
Ga vacancies in MOVPE prepared GaN layers - correlation with other point defects.
PCCG 2022, Polish Conference on Crystal Growth 2022 - Book of Abstracts. Gdańsk: Gdańsk University of Technology, 2022 - (Klimczuk, T.). s. 23-23
[Polish Conference on Crystal Growth 2022 /PCCG 2022/. 19.06.2022-24.06.2022, Gdańsk]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * GaN * defects * vacancies
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://event.mostwiedzy.pl/event/2/attachments/52/145/PCCG_Abstract_book_updated.pdf
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0339197 - 10.0567278 - FZÚ 2023 RIV GB eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Buryi, Maksym - Hubáček, Tomáš - Hájek, František - Jarý, Vítězslav - Babin, Vladimir - Kuldová, Karla - Vaněk, Tomáš
Luminescence and scintillation properties of the Si doped InGaN/GaN multiple quantum wells.
Journal of Physics: Conference Series. Vol. 2413. Bristol: IOP Publishing, 2022, č. článku 012001. ISSN 1742-6588.
[DMSRE seminar: Development of Materials Science in Research and Education (DMSRE) /31./. Nová Lesná (SK), 05.09.2022-09.09.2022]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GJ20-05497Y
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InGaN/GaN multiple quantum wells * Si doping * luminescence
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/2413/1/012001
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0338546