Výsledky vyhledávání
- 1.0448593 - FZÚ 2016 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Zíková, Markéta - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Krčil, Pavel - Hulicius, Eduard - Komninou, Ph. - Kioseoglou, J.
MOVPE prepared InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb layer with long wavelength emission at 1.8 µm.
Journal of Crystal Growth. Roč. 414, Mar (2015), 167-171. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: long emission wavelength * photocurrent * InAs quantum dots * MOVPE * GaAsSb layer
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.462, rok: 2015
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0250242 - 2.0433914 - FZÚ 2015 CH eng A - Abstrakt
Zíková, Markéta - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Krčil, Pavel - Hulicius, Eduard - Komninou, Ph. - Kioseoglou, J.
MOVPE prepared InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb layer with long wavelength emission at 1.8 µm.
International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. Lausanne: École Polytechnique Fédérale de Lausanne, 2014 - (Kapon, E.; Rudra, A.). s. 14-14
[International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. 13.07.2014-18.07.2014, Lausanne]
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InAs quantum dots * GaAsSb layer * photocurrent * long emission wavelength * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0238091