Výsledky vyhledávání
- 1.0523531 - ÚFE 2020 RIV cze P1 - Užitný vzor, průmyslový vzor
Mrázek, Jan
Koloidní difuzní zdroj bóru pro přípravu dotovaného křemíku typu P.
[Colloidal boron diffusion source for the preparation of doped P-type silicon.]
2019. Vlastník: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i. Datum udělení vzoru: 30.09.2019. Číslo vzoru: 33261
Grant CEP: GA MPO(CZ) FV30151
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: semiconductor * boron * colloid
Obor OECD: Electrical and electronic engineering
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0307887Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0523531.pdf 4 127.7 KB Vydavatelský postprint povolen - 2.0523530 - ÚFE 2020 RIV cze P1 - Užitný vzor, průmyslový vzor
Mrázek, Jan
Koloidní difuzní zdroj fosforu pro přípravu dotovaného křemíku typu N.
[Colloidal diffuse source of phosphorus for preparing doped of the type N silicon.]
2019. Vlastník: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i. Datum udělení vzoru: 10.06.2019. Číslo vzoru: 32924
Grant CEP: GA MPO(CZ) FV30151
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: semiconductor * phosphorus * colloid
Obor OECD: Electrical and electronic engineering
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0307886Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0523530.pdf 5 136.8 KB Vydavatelský postprint povolen