Výsledky vyhledávání
- 1.0524056 - ÚJF 2021 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Cutroneo, Mariapompea - Torrisi, L. - Badziak, J. - Rosinski, M. - Torrisi, Alfio - Fazio, M. - Sofer, Z. - Bottger, R. - Akhmadaliev, S.
Hybrid graphene-based material promising target in laser matter interaction.
Journal of Instrumentation. Roč. 15, č. 1 (2020), č. článku C01021. ISSN 1748-0221. E-ISSN 1748-0221
Grant CEP: GA ČR GA19-02482S; GA MŠMT EF16_013/0001812
Institucionální podpora: RVO:61389005
Klíčová slova: data analysis * laser
Obor OECD: Nuclear physics
Impakt faktor: 1.415, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1088/1748-0221/15/01/C01021
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0308365 - 2.0520885 - ÚJF 2021 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Nekvindová, P. - Cajzl, J. - Macková, Anna - Malinský, Petr - Oswald, Jiří - Bottger, R. - Yatskiv, Roman
Er implantation into various cuts of ZnO - experimental study and DFT modelling.
Journal of Alloys and Compounds. Roč. 816, č. 3 (2020), č. článku 152455. ISSN 0925-8388. E-ISSN 1873-4669
Grant CEP: GA ČR GA18-03346S; GA MŠMT EF16_013/0001812
Institucionální podpora: RVO:61389005 ; RVO:68378271 ; RVO:67985882
Klíčová slova: Erbium * ZnO * Ion implantation * Density functional theory modelling * Rutherford backscattering spectroscopy
Obor OECD: Composites (including laminates, reinforced plastics, cermets, combined natural and synthetic fibre fabrics; Inorganic and nuclear chemistry (FZU-D); Electrical and electronic engineering (URE-Y)
Impakt faktor: 5.316, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.152455
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0305552 - 3.0520862 - ÚJF 2020 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Cutroneo, Mariapompea - Torrisi, L. - Havránek, Vladimír - Macková, Anna - Malinský, Petr - Torrisi, Alfio - Stammers, James H. - Sofer, Z. - Silipigni, L. - Fazio, B. - Fazio, M. - Bottger, R.
Characterization of graphene oxide film by implantation of low energy copper ions.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Roč. 460, č. 12 (2019), s. 169-174. ISSN 0168-583X. E-ISSN 1872-9584.
[28th International Conference on Atomic Collisions in Solids (ICACS) / 10th International Symposium on Swift Heavy Ions in Matter (SHIM). Caen, 01.07.2018-07.07.2018]
Grant CEP: GA MŠMT LM2015056; GA ČR GA16-05167S; GA MŠMT EF16_013/0001812
Institucionální podpora: RVO:61389005
Klíčová slova: low energy copper ions * ion implantation * composition graphene oxide
Obor OECD: Atomic, molecular and chemical physics (physics of atoms and molecules including collision, interaction with radiation, magnetic resonances, Mössbauer effect)
Impakt faktor: 1.270, rok: 2019
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.nimb.2019.03.021
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0305518 - 4.0520686 - ÚJF 2020 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Malinský, Petr - Cutroneo, Mariapompea - Sofer, Z. - Szokolova, K. - Bottger, R. - Akhmadaliev, S. - Macková, Anna
Structural and compositional modification of graphene oxide by means of medium and heavy ion implantation.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Roč. 460, č. 12 (2019), s. 201-208. ISSN 0168-583X. E-ISSN 1872-9584.
[28th International Conference on Atomic Collisions in Solids (ICACS) / 10th International Symposium on Swift Heavy Ions in Matter (SHIM). Caen, 01.07.2018-07.07.2018]
Grant CEP: GA MŠMT LM2015056; GA ČR GA16-05167S; GA MŠMT EF16_013/0001812
Institucionální podpora: RVO:61389005
Klíčová slova: chemical properties * electrical properties * graphene oxide * ion irradiation
Obor OECD: Nuclear related engineering
Impakt faktor: 1.270, rok: 2019
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.nimb.2019.03.022
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0305329 - 5.0511855 - ÚJF 2020 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Macková, Anna - Malinský, Petr - Jagerová, Adéla - Mikšová, Romana - Nekvindová, P. - Cajzl, J. - Bottger, R. - Akhmadaliev, S.
Au incorporation into various ZnO crystallographic cuts realised by ion implantation - ZnO damage characterization.
Vacuum. Roč. 169, č. 11 (2019), č. článku UNSP 108892. ISSN 0042-207X. E-ISSN 1879-2715
Grant CEP: GA MŠMT LM2015056; GA MŠMT EF16_013/0001812; GA ČR GA18-03346S
Institucionální podpora: RVO:61389005
Klíčová slova: ZnO * RBS * ion implantation
Obor OECD: Atomic, molecular and chemical physics (physics of atoms and molecules including collision, interaction with radiation, magnetic resonances, Mössbauer effect)
Impakt faktor: 2.906, rok: 2019
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2019.108892
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0302102 - 6.0507405 - ÚJF 2020 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Malinský, Petr - Macková, Anna - Floriánová, Markéta - Cutroneo, Mariapompea - Hnatowicz, Vladimír - Boháčová, M. - Szokolova, K. - Bottger, R. - Sofer, Z.
The Structural and Compositional Changes of Graphene Oxide Induced by Irradiation With 500keV Helium and Gallium Ions.
Physica Status Solidi B. Roč. 256, č. 5 (2019), č. článku 180409. ISSN 0370-1972. E-ISSN 1521-3951.
[Symposium K on Defect-Induced Effects in Nanomaterials at the Meeting of the European-Materials-Research-Society. Strasbourg, 17.06.2018-22.06.2018]
Grant CEP: GA MŠMT LM2015056; GA ČR GA16-05167S; GA MŠMT EF16_013/0001812
Institucionální podpora: RVO:61389005
Klíčová slova: chemical properties * electrical properties * graphen oxide * ion irradiation
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.481, rok: 2019
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1002/pssb.201800409
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0298397 - 7.0504789 - ÚJF 2020 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Macková, Anna - Malinský, Petr - Jagerová, Adéla - Mikšová, Romana - Sofer, Z. - Klímová, K. - Mikulics, M. - Bottger, R. - Akhmadaliev, S. - Oswald, Jiří
Damage accumulation and implanted Gd and Au position in a- and c-plane GaN.
Thin Solid Films. Roč. 680, č. 6 (2019), s. 102-113. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
Grant CEP: GA MŠMT EF16_013/0001812; GA MŠMT LM2015056; GA ČR GA18-03346S
Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:61389005
Klíčová slova: Implanted (0001) and (11-20) GaN * Damage accumulation asymmetry in GaN * Ion implantation in semiconductors * RBS channelling * Damage-depth profiling
Obor OECD: Nuclear physics; Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) (FZU-D)
Impakt faktor: 2.030, rok: 2019
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2019.04.035
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0296342 - 8.0497102 - ÚJF 2019 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Macková, Anna - Malinský, Petr - Jagerová, Adéla - Sofer, Z. - Klímová, K. - Sedmidubský, D. - Mikulics, M. - Bottger, R. - Akhmadaliev, S.
Damage accumulation and structural modification in c-plane and a-plane GaN implanted with 400 keV Kr and Gd ions.
Surface and Coatings Technology. Roč. 355, SI (2018), s. 22-28. ISSN 0257-8972.
[International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams (SMMIB). Lisbon, 09.07.2017-14.07.2017]
Grant CEP: GA MŠMT EF16_013/0001812; GA MŠMT LM2015056; GA ČR GA15-01602S
Institucionální podpora: RVO:61389005
Klíčová slova: GaN damage accumulation * structure modification in c-plane and a-plane * GaN * RBS channeling studies of implanted GaN
Obor OECD: Nuclear physics
Impakt faktor: 3.192, rok: 2018
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0289694 - 9.0496731 - ÚJF 2019 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Macková, Anna - Malinský, Petr - Jagerová, Adéla - Sofer, Z. - Sedmidubský, D. - Klímová, K. - Bottger, R. - Akhmadaliev, S.
Damage accumulation and structural modification in a- and c-plane GaN implanted with 400-keV and 5-MeV Au+ ions.
Surface and Interface Analysis. Roč. 50, č. 11 (2018), s. 1099-1105. ISSN 0142-2421. E-ISSN 1096-9918.
[17th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis (ECASIA 2017). Monpellier, 24.09.2017-29.09.2017]
Grant CEP: GA MŠMT EF16_013/0001812; GA MŠMT LM2015056; GA ČR GA15-01602S
Institucionální podpora: RVO:61389005
Klíčová slova: damage accumulation in GaN * RBS channeling in ion-modified GaN * structure modification in c-plane and a-plane GaN
Obor OECD: Nuclear physics
Impakt faktor: 1.319, rok: 2018
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0289383 - 10.0492476 - ÚJF 2019 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Cajzl, J. - Nekvindová, P. - Macková, Anna - Malinský, Petr - Oswald, Jiří - Remeš, Zdeněk - Varga, Marián - Kromka, Alexander - Akhetova, B. - Bottger, R. - Prajzler, V.
Erbium Luminescence Centres in Single- and Nano-Crystalline Diamond-Effects of Ion Implantation Fluence and Thermal Annealing.
Micromachines. Roč. 9, č. 7 (2018), č. článku 316. E-ISSN 2072-666X
Grant CEP: GA ČR(CZ) GBP108/12/G108; GA MŠMT LM2015056
Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:61389005
Klíčová slova: nano-crystalline diamond * erbium * ion implantation * luminescence * Rutherford Backscattering Spectrometry * Raman spectroscopy * thin films
Obor OECD: Nano-materials (production and properties); Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) (FZU-D)
Impakt faktor: 2.426, rok: 2018
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0285996