Výsledky vyhledávání
- 1.0425823 - FZÚ 2014 CZ cze K - Konferenční příspěvek (tuzemská konf.)
Hývl, M. - Fejfar, Antonín - Vetushka, Aliaksi
Měření elektrických vlastností křemíkových nanostruktur s použitím mikroskopie atomárních sil.
[The measurement of electrical properties of silicon nanostructures with use of atomic force microscopy.]
Studentská vědecká konference fyziky pevných látek /3./. Praha: Česká technika - nakladatelství ČVUT, 2013 - (Aubrecht, J.; Kalvoda, L.; Kučeráková, M.; Štěpánková, A.), s. 107-110. ISBN 978-80-01-05344-7.
[Studentská vědecká konference fyziky pevných látek /3./. Krkonoše (CZ), 28.06.2013-02.07.2013]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: AFM * photovoltaics * polycrystalline silicon * silicon nanowires
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0231618 - 2.0399637 - FZÚ 2014 CZ eng K - Konferenční příspěvek (tuzemská konf.)
Zíková, Markéta - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Kubištová, Jana - Hulicius, Eduard - Komninou, Ph. - Kioseoglou, J. - Nikitis, F.
GaAsSb strain reducing layer covering InAs/GaAs quantum dots.
Studentská vědecká konference fyziky pevných látek /3./. Praha: Česká technika - nakladatelství ČVUT, 2013 - (Aubrecht, J.; Kalvoda, L.; Kučeráková, M.; Štěpánková, A.), s. 46-50. ISBN 978-80-01-05344-7.
[Studentská vědecká konference fyziky pevných látek /3./. Krkonoše (CZ), 28.06.2013-02.07.2013]
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA MŠMT 7AMB12GR034; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: quantum dot * strain reducing layer * InAs * GaAsSb
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0226876