Výsledky vyhledávání
- 1.0584549 - ÚACH 2025 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
White, K. E. - Avery, E. - Cummings, E. - Hong, Z. - Langecker, Jens - Vetushka, Aliaksi - Dušek, Michal - Macháček, Jan - Višňák, Jakub - Endres, J. - Bastl, Zdeněk - Mete, E. - Alexandrova, A. N. - Baše, Tomáš - Weiss, P. S.
Competing Intermolecular and Molecule-Surface Interactions: Dipole-Dipole-Driven Patterns in Mixed Carborane Self-Assembled Monolayers.
Chemistry of Materials. Roč. 36, č. 4 (2024), s. 2085-2095. ISSN 0897-4756. E-ISSN 1520-5002
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LTAIN19152; GA MŠMT EF16_026/0008382; GA MŠMT(CZ) LM2018096
Výzkumná infrastruktura: e-INFRA CZ - 90140
Institucionální podpora: RVO:61388980 ; RVO:68378271 ; RVO:61388955
Klíčová slova: Molecular interactions * Molecules * Molecular structure * Scanning tunneling microscopy * Supramolecular chemistry
Obor OECD: Inorganic and nuclear chemistry; Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) (FZU-D); Physical chemistry (UFCH-W)
Impakt faktor: 8.6, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.chemmater.3c03210
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0352461 - 2.0539174 - FZÚ 2021 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Mates, Tomáš - Polášek, J. - Mareš, P. - Dubau, M. - Vetushka, Aliaksi - Ledinský, Martin - Fejfar, Antonín - Vyskočil, J.
Growth defects in WC:H layers for tribological applications.
Vacuum. Roč. 178, Aug (2020), s. 1-7, č. článku 109372. ISSN 0042-207X. E-ISSN 1879-2715
Grant CEP: GA MŠMT EF16_026/0008382; GA MŠMT LM2018110; GA TA ČR(CZ) TH03020004
Grant ostatní: OP VVV - CARAT CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_026/0008382
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: DLC * PACVD * AFM * SEM * FIB * Raman
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.627, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2020.109372
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0316874 - 3.0538662 - FZÚ 2021 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Vokoun, David - Klimša, Ladislav - Vetushka, Aliaksi - Duchoň, Jan - Racek, Jan - Drahokoupil, Jan - Kopeček, Jaromír - Yu, Y.-S. - Koothan, N. - Kei, C.C.
Al2O3 and Pt atomic layer deposition for surface modification of NiTi shape memory films.
Coatings. Roč. 10, č. 8 (2020), s. 1-14, č. článku 746. E-ISSN 2079-6412
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Grant ostatní: AV ČR(CZ) MOST-20-11; OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Program: Bilaterální spolupráce
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: NiTi alloy * atomic layer deposition * thin film * Pt nanoparticles
Obor OECD: Materials engineering
Impakt faktor: 2.881, rok: 2020
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0316416Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0538662.pdf 0 4.8 MB CC licence Vydavatelský postprint povolen - 4.0535316 - FZÚ 2021 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Křížek, Filip - Kašpar, Zdeněk - Vetushka, Aliaksi - Kriegner, Dominik - Fiordaliso, E.M. - Michalička, J. - Man, O. - Zubáč, Jan - Brajer, Jan - Hills, V.A. - Edmonds, K. W. - Wadley, P. - Campion, R. P. - Olejník, Kamil - Jungwirth, Tomáš - Novák, Vít
Molecular beam epitaxy of CuMnAs.
Physical Review Materials. Roč. 4, č. 1 (2020), s. 1-9, č. článku 014409. ISSN 2475-9953. E-ISSN 2475-9953
Grant CEP: GA ČR(CZ) GX19-28375X; GA MŠMT EF16_027/0008215; GA MŠMT EF16_013/0001405; GA MŠMT(CZ) LM2018096; GA MŠMT LM2018110
GRANT EU: European Commission(XE) 766566 - ASPIN
Grant ostatní: MOBILITY FZU(XE) CZ.02.2.69/0.0/0.0/16_027/0008215; OP VVV - LNSM(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_013/0001405
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: spintronics * antiferromagnets
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.989, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://journals.aps.org/prmaterials/pdf/10.1103/PhysRevMaterials.4.014409
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0313378 - 5.0532847 - FZÚ 2021 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Hájek, František - Pangrác, Jiří - Slavická Zíková, Markéta - Hubáček, Tomáš - Kuldová, Karla - Oswald, Jiří - Vaněk, Tomáš - Vetushka, Aliaksi - Čížek, J. - Liedke, M.O. - Butterling, M. - Wagner, A.
A secret luminescence killer in deepest QWs of InGaN/GaN multiple quantum well structures.
Journal of Crystal Growth. Roč. 536, Apr (2020), s. 1-6, č. článku 125579. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT LM2015087; GA TA ČR TH02010580; GA MŠMT(CZ) LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: quantum wells * defects * impurities * metalorganic vapor phase epitaxy * nitrides
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.797, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2020.125579
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0311234 - 6.0520842 - FZÚ 2020 RIV LT eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Slavická Zíková, Markéta - Hubáček, Tomáš - Pangrác, Jiří - Kuldová, Karla - Hájek, František - Dominec, Filip - Vetushka, Aliaksi - Hasenöhrl, S.
Improvement of GaN crystalline quality by SiNx layer grown by MOVPE.
Lithuanian Journal of Physics. Roč. 59, č. 4 (2019), s. 179-186. ISSN 1648-8504. E-ISSN 1648-8504
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603; GA ČR(CZ) GA16-11769S; GA TA ČR TH02010014
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: dislocations * MOVPE * GaN * SiNx * photoluminescence
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 0.966, rok: 2019
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0305500Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0520842.pdf 0 3 MB OA časopis Vydavatelský postprint povolen - 7.0507908 - FZÚ 2020 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Hladik, Martin - Vetushka, Aliaksi - Fejfar, Antonín - Vázquez, Héctor
Tuning of the gold work function by carborane films studied using density functional theory.
Physical Chemistry Chemical Physics. Roč. 21, č. 11 (2019), s. 6178-6185. ISSN 1463-9076. E-ISSN 1463-9084
Grant CEP: GA TA ČR TH02020628; GA ČR(CZ) GJ17-27338Y; GA MŠMT EF16_019/0000760
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: density functional theory * SIESTA code * self-assembled monolayers * carborane * Au surface * work function
Obor OECD: Electrical and electronic engineering
Impakt faktor: 3.430, rok: 2019
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1039/c9cp00346k
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0298872 - 8.0505794 - FZÚ 2020 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Dominec, Filip - Hospodková, Alice - Hubáček, Tomáš - Zíková, Markéta - Pangrác, Jiří - Kuldová, Karla - Vetushka, Aliaksi - Hulicius, Eduard
Influence of GaN buffer layer under InGaN/GaN MQWs on luminescent properties.
Journal of Crystal Growth. Roč. 507, Feb (2019), s. 246-250. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603; GA ČR GA16-15569S
GRANT EU: European Commission(XE) 690599 - ASCIMAT
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: low dimensional structures * V-pits * metalorganic vapor phase epitaxy * InGaN/GaN quantum wells * GaN buffer layer * scintillators
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.632, rok: 2019
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.11.025
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0297183Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0505794.pdf 5 1.1 MB Autorský postprint povolen - 9.0505462 - FZÚ 2020 CZ cze J - Článek v odborném periodiku
Hájková, Zdeňka - Ledinský, Martin - Hývl, Matěj - Vetushka, Aliaksi - Fejfar, Antonín - Řáhová, Jaroslava - Frank, Otakar
2D materiály aneb grafen a jak to bylo dál.
[2D materials: Graphene and beyond.]
Československý časopis pro fyziku. Roč. 69, č. 1 (2019), s. 21-24. ISSN 0009-0700
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA17-18702S; GA MŠMT LM2015087
Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:61388955
Klíčová slova: 2D materials * graphene * heterostructures
Obor OECD: Nano-materials (production and properties)
Způsob publikování: Omezený přístup
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0296958Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0505462.pdf 0 477.6 KB Vydavatelský postprint vyžádat - 10.0502820 - FZÚ 2019 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Hubáček, Tomáš - Hospodková, Alice - Kuldová, Karla - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Jarý, Vítězslav - Dominec, Filip - Slavická Zíková, Markéta - Hájek, František - Hulicius, Eduard - Vetushka, Aliaksi - Ledoux, G. - Dujardin, C. - Nikl, Martin
Advancement toward ultra-thick and bright InGaN/GaN structures with a high number of QWs.
CrystEngComm. Roč. 21, č. 2 (2019), s. 356-362. ISSN 1466-8033
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA16-11769S; GA MŠMT(CZ) LO1603
GRANT EU: European Commission(XE) 690599 - ASCIMAT
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InGaN * MOVPE * QW number
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.117, rok: 2019
Způsob publikování: Open access s časovým embargem
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0294704Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0502820.pdf 4 1.7 MB Autorský postprint povolen