Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0540876 - FZÚ 2021 RIV FR eng A - Abstrakt
    Vetushka, Aliaksi - Müller, Martin - Hladík, Martin - Ledinský, Martin - Fejfar, Antonín - Macháček, Jan - Baše, Tomáš
    Study of the adsorption mechanisms of oriented dipoles of carborane-thiol molecules on a flat gold surface.
    9th International Conference on Molecular Electronics. Paris: PalmSens, 2018. „T6-4“-„T6-4“.
    [International Conference on Molecular Electronics (ElecMol) /9./. 17.12.2018-20.12.2018, Paris]
    Grant CEP: GA MŠMT LM2015087; GA TA ČR TH02020628; GA ČR(CZ) GJ17-27338Y
    Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:61388980
    Klíčová slova: WF * SAMs
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.); Inorganic and nuclear chemistry (UACH-T)
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0318475
     
     
  2. 2.
    0501495 - FZÚ 2019 JP eng A - Abstrakt
    Hospodková, Alice - Dominec, Filip - Hubáček, Tomáš - Zíková, Markéta - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Kuldová, Karla - Vetushka, Aliaksi - Hulicius, Eduard
    Suppressed contamination of InGaN/GaN MQW region by growing the buffer layer at lower temperature.
    ICMOVPE XIX - Technical Digest. Nara: Japanese Association for Crystal Growth, 2018 - (Miyake, H.). s. 147-147
    [19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy - ICMOVPE XIX. 03.06.2018-08.06.2018, Nara]
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603; GA ČR GA16-15569S
    GRANT EU: European Commission(XE) 690599 - ASCIMAT
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: GaN buffer layer * scintillators * low dimensional structures * V-pits * metalorganic vapor phase epitaxy * InGaN/GaN QWs
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0293517
     
     
  3. 3.
    0496184 - FZÚ 2019 RIV PL eng A - Abstrakt
    Vaněk, Tomáš - Hospodková, Alice - Hubáček, Tomáš - Kuldová, Karla - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Zíková, Markéta - Vetushka, Aliaksi
    Increasing scintillator active region thickness by InGaN/GaN QW number.
    Proceedings of the International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7. University of Warsaw, 2018. s. 151-151.
    [International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7. 05.08.2018-10.08.2018, Warsaw]
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603; GA ČR GA16-15569S
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: InGaN/GaN * QW number
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0289013
     
     
  4. 4.
    0480627 - FZÚ 2018 eng A - Abstrakt
    Hájková, Zdeňka - Ledinský, Martin - Vetushka, Aliaksi - Stuchlík, Jiří - Müller, Martin - Pikna, Peter - Bouša, Milan - Kalbáč, Martin - Frank, Otakar - Fejfar, Antonín
    Graphene on microcrystalline silicon: Local photovoltaic characterization of a Schottky junction solar cell.
    NANOCON 2016. List of Abstracts. Ostrava: Tanger Ltd., 2016 - (Shrbená, J.). s. 37-37. ISBN 978-80-87294-68-0.
    [NANOCON 2016. International Conference /8./. 19.10.2016-21.10.2016, Brno]
    Grant CEP: GA ČR GA14-15357S
    Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:61388955
    Klíčová slova: graphene * microcrystalline silicon * Schottky junction * photovoltaics * C-AFM
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0276363
     
     
  5. 5.
    0479964 - FZÚ 2018 eng A - Abstrakt
    Ledinský, Martin - Hájková, Zdeňka - Vetushka, Aliaksi - Tomasi, A. - Paviet-Salomon, B. - Despeisse, M. - Řáhová, Jaroslava - Frank, O. - De Wolf, S. - Ballif, C. - Fejfar, Antonín
    Profilometry with sub-nanometre precision by Raman spectroscopy.
    NANOCON 2016. List of Abstracts. Ostrava: Tanger Ltd., 2016 - (Shrbená, J.). s. 56-56. ISBN 978-80-87294-68-0.
    [NANOCON 2016. International Conference /8./. 19.10.2016-21.10.2016, Brno]
    Grant CEP: GA ČR GA14-15357S
    Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:61388955
    Klíčová slova: Raman spectroscopy * amorphous silicon thin film * back-contacted heterojunction solar cells * graphene * 2D multilayer materials
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0276010
     
     
  6. 6.
    0391055 - FZÚ 2013 HU eng A - Abstrakt
    Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan - Oswald, Jiří - Vetushka, Aliaksi
    Controlling of properties of MOVPE InAs/GaAs quantum dot structures for device application.
    EuroNanoForum 2011 in partnership with Nanotech Europe - Coference - Exhibition - Matchmaking. 2011.
    [EuroNanoForum 2011. 30. 05.2011-01.06. 2011, Budapest]
    Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA MŠMT LC510
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: InAs/GaAs * Quantum Dots
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0219937
     
     
  7. 7.
    0391003 - FZÚ 2013 DE eng A - Abstrakt
    Rezek, Bohuslav - Babchenko, Oleg - Vetushka, Aliaksi - Ledinský, Martin - Kromka, Alexander
    Growth and surface conductivity of diamond in-plane nanowires.
    Proceedings of the 22nd European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes and Nitrides. Munich, 2011. ISBN N.
    [European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes and Nitrides /22./. 04.09.2011-08.09.2011, Garmisch-Partenkirchen]
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: nanocrystalline diamond * nanowires * surface conductivity * selective area deposition
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0219830
     
     
  8. 8.
    0390947 - FZÚ 2013 JP eng A - Abstrakt
    Ledinský, Martin - Vetushka, Aliaksi - Stuchlík, Jiří - Rezek, Bohuslav - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan
    Microcrystalline silicon thin films studied by photoconductive atomic force microscopy.
    ICANS 24. Program and Abstracts Book. Nara, 2011. s. 233-233.
    [International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors /24./ - ICANS 24. 21.08.2011-26.08.2011, Nara]
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: amorphous silicon * nanocrystalline silicon * thin films * atomic force microscopy * photoconductivity
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0219806
     
     
  9. 9.
    0390938 - FZÚ 2013 eng A - Abstrakt
    Vetushka, Aliaksi - Fejfar, Antonín - Ledinský, Martin - Rezek, Bohuslav - Kočka, Jan
    Conductive atomic force microscopy of delicate nanostructures in torsional resonance mode.
    International Workshop on Scanning Probe Microscopy for Energy Applications /2./, Program and Abstracts. 2011.
    [International Workshop on Scanning Probe Microscopy for Energy Applications /2./. 08.06.2011-10. 06. 2011, Mainz]
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LC06040; GA MŠMT(CZ) MEB061012; GA AV ČR KAN400100701; GA MŠMT LC510
    GRANT EU: European Commission(XE) 240826 - PolySiMode
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: C-AFM * nanowires * TR-mode * TR-TUNA
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0219866
     
     
  10. 10.
    0390897 - FZÚ 2013 US eng A - Abstrakt
    Pikna, Peter - Fejfar, Antonín - Ledinský, Martin - Vetushka, Aliaksi - Kočka, Jan - Benda, V.
    In Situ Measuring System Designed for Improvement of Poly-Si Thin Film Solar Cells.
    The Fourth International Forum on Multidisciplinary Education and Research for Energy Science. Honolulu, 2011.
    [The Fourth International Forum on Multidisciplinary Education and Research for Energy Science. 17.12.2011-21.12. 2011, Honolulu, Hawaii]
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LC06040; GA AV ČR KAN400100701; GA MŠMT LC510
    GRANT EU: European Commission(XE) 240826 - PolySiMode
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: polycrystalline silicon * thin film solar cells * water vapor passivation
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0219767
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.