Výsledky vyhledávání
- 1.0304202 - URE-Y 20030098 ES eng A - Abstrakt
Pedlíková, Jitka - Ležal, Dmitrij - Zavadil, Jiří - Kalužný, J.
Preparation and characterisation of ZnO-TeO2 based glass materials.
Badajoz: FORMATEX, 2003. Book of Abstracts 1st International Meeting on Applied Physics. s. 753
[APHYS-2003 /1./. 13.10.2003-18.10.2003, Badajoz]
Grant CEP: GA ČR GA104/02/0799; GA AV ČR KSK1010104 Projekt 04/01:4044
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: glass * fluorescence * transmission
Kód oboru RIV: CA - Anorganická chemie
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114343 - 2.0304201 - URE-Y 20030073 ES eng A - Abstrakt
Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Grym, Jan - Žďánský, Karel
Novel approaches to LPE preparation of high quality of InP semiconductor layers for radiation detectors.
Badajoz: FORMATEX, 2003. Book of Abstracts 1st International Meeting on Applied Physics. s. 201
[APHYS-2003 /1./. 13.10.2003-18.10.2003, Badajoz]
Grant CEP: GA ČR GA102/03/0379; GA AV ČR KSK1010104 Projekt 04/01:4043
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: rare earth compounds * photoluminescence * Hall effect
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114342 - 3.0304013 - URE-Y 20020082 HU eng A - Abstrakt
Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel - Grym, Jan
Correlation of Pr, Dy and Tb addition with physical properties of InP layers prepared by LPE.
Budapest: Rese, 2002. Book of Abstracts EXMATEC'2002. s. 149
[EXMATEC 2002 - International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compounds Semiconductor Materials & Technologies /6./. 26.05.2002-29.05.2002, Budapest]
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104 Projekt 04/01:4043
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: rare earth compounds * semiconductors * liqiud phase epitaxy
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114157 - 4.0303985 - URE-Y 20020085 HU eng A - Abstrakt
Žďánský, Karel - Zavadil, Jiří - Pekárek, Ladislav - Procházková, Olga - Kacerovský, Pavel
High temperature annealing of undoped and Mn doped InP: photoluminescence and Hall measurements.
Budapest: Rese, 2002. Book of Abstracts EXMATEC'2002. s. 82-83
[EXMATEC 2002 - International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compounds Semiconductor Materials & Technologies /6./. 26.05.2002-29.05.2002, Budapest]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: semiconductor materials * luminescence
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114129 - 5.0303870 - URE-Y 20010052 PL eng A - Abstrakt
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
The comparison of the influence of Pr, Nd and Tb on the characteristics of InP epitaxial layers.
Warsaw: Polish Academy of Sciences, Institute of Physics, 2001. Jaszowiec 2001. s. 59
[International School on the Physics of Semiconducting Compounds /30./. 01.06.2001-08.06.2001, Ustron-Jaszowiec]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4073
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: liquid phase epitaxial growth * rare earth compounds * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114054 - 6.0303869 - URE-Y 20010050 CZ eng A - Abstrakt
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
Role of rare earth elements in growth process of InP LPE layers.
Prague: Czech Technical University, 2001. Poster 2001. Book of Extended Abstract. s. NS16.1-NS16.2
[International Student Conference on Electrical Engineering /5./. 24.05.2001, Prague]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4073
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: liquid phase epitaxial growth * rare earth compounds * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114053 - 7.0303826 - URE-Y 20010040 SK eng A - Abstrakt
Zavadil, Jiří - Procházková, Olga - Žďánský, Karel
Growth of InP layers for radiation detectors.
[Bratislava]: [STU], 2001. ISBN 80-85330-90-3. DMS-RE 2001 Development of Materials Science in Research and Education. - (Koman, M.; Mikloš, D.). s. 94-95
[Development of Materials Science in Research and Education - DMS-RE 2001 /11./. 09.09.2001-13.09.2001, Kežmarské Žĺaby]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: particle detectors * semiconductor materials * III-V semiconductors * photoluminescence
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114010 - 8.0303825 - URE-Y 20010051 SK eng A - Abstrakt
Grym, Jan - Procházková, Olga - Žďánský, Karel - Zavadil, Jiří
Novel approaches to LPE preparation of InP-based semiconductor layers.
[Bratislava]: [STU], 2001. ISBN 80-85330-90-3. DMS-RE 2001 Development of Materials Science in Research and Education. - (Koman, M.; Mikloš, D.). s. 41-42
[Development of Materials Science in Research and Education - DMS-RE 2001 /11./. 09.09.2001-13.09.2001, Kežmarské Žĺaby]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4073
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: liquid phase epitaxial growth * rare earth compounds * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114009 - 9.0303823 - URE-Y 20010058 IT eng A - Abstrakt
Žďánský, Karel - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Novotný, Jan
P-type InP grown by LPE from melts with rare earth admixtures.
[Parma]: [Instituto CNRMASPEC], 2001. DRIP IX - 9th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors. Program and abstracts. s. 36
[DRIP /9./. 24.09.2001-28.09.2001, Rimini]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074; GA AV ČR KSK1010104 Projekt 04/01:4044
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: liquid phase epitaxial growth * rare earth metals * semiconductor materials
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114007 - 10.0303822 - URE-Y 20010078 PL eng A - Abstrakt
Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
Role of ç-elements in the growth of InP layers for radiation detectors.
[Poznan]: [Faculty of Technological Physics Poznan University of Technology], 2001. VI Polish Conference on Crystal Growth - PCCG-VI. s. 37
[Polish Conference on Crystal Growth /PCCG-6./. 20.05.2001-23.05.2001, Poznan]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4073
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: liquid phase epitaxial growth * rare earth metals * semiconductor materials
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114006