Výsledky vyhledávání
- 1.0133703 - FZU-D 20010503 CZ cze K - Konferenční příspěvek (tuzemská konf.)
Dohnalová, Kateřina - Fojtík, Petr - Mates, Tomáš - Stuchlík, Jiří - Gregora, Ivan - Kočka, Jan - Pelant, Ivan
Nová levná metoda niklem indukované krystalisace a-Si:H za pokojové teploty.
Juniormat '01. Brno: Fakulta strojního inženýrství VUT, 2001, s. 154-155.
[Juniormat '01. Brno (CZ), 19.09.2001-20.09.2001]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031665 - 2.0044058 - FZÚ 2007 RIV CZ cze K - Konferenční příspěvek (tuzemská konf.)
Vyskočil, Jan - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Mates, Tomáš - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav - Hulicius, Eduard
Vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček ve vertikálně korelovaných strukturách s dvěma vrstvami kvantových teček získaných pomocí MOVPE.
[Properties of InAs/GaAs quantum dots in vertically correlated structures with 2 QD layers grown by MOVPE.]
Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích. Brno: Masarykova univerzita, 2006, s. 15-15.
[Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích /11./. Brno (CZ), 23.06.2006-28.06.2006]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA202/06/0718; GA ČR(CZ) GA202/05/0242; GA MŠMT(CZ) LC510; GA MŠMT(CZ) LC06040; GA AV ČR(CZ) KJB101630601
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dot * GaAs * InAs * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0136927 - 3.0044056 - FZÚ 2007 RIV CZ cze K - Konferenční příspěvek (tuzemská konf.)
Oswald, Jiří - Kuldová, Karla - Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Mates, Tomáš - Melichar, Karel - Vyskočil, Jan
MOVPE InAs/GaAs kvantové tečky s dlouhovlnnou emisí.
[MOVPE InAs/GaAs quantum dots with long-wavelength emission.]
Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích. Brno: Masarykova univerzita, 2006, s. 14-14.
[Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích /11./. Brno (CZ), 23.06.2006-28.06.2006]
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) KJB101630601; GA ČR(CZ) GA202/06/0718; GA ČR(CZ) GA202/05/0242; GA MŠMT(CZ) LC510; GA MŠMT(CZ) LC06040
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dot * GaAs * InAs * MOVPE * photoluminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0136926