Výsledky vyhledávání
- 1.0088945 - ÚPT 2008 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Müllerová, Ilona - Matsuda, K. - Hrnčiřík, Petr - Frank, Luděk
Enhancement of SEM to scanning LEEM.
[Rozšíření SEM na rastrovací LEEM.]
Surface Science. Roč. 601, č. 20 (2007), s. 4768-4773. ISSN 0039-6028. E-ISSN 1879-2758
Grant CEP: GA ČR GA102/05/2327; GA ČR GA202/04/0281
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20650511
Klíčová slova: SEM * LEEM * scanning LEEM
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 1.855, rok: 2007
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0150316 - 2.0082251 - ÚPT 2007 RIV JP eng J - Článek v odborném periodiku
Frank, Luděk - Mika, Filip - Hovorka, Miloš - Valdaitsev, D. - Schönhense, G. - Müllerová, Ilona
Dopant Contrast in Semiconductors as Interpretation Challenge at Imaging by Electrons.
[Kontrast dopantu jako interpretační problém při zobrazování elektrony.]
Materials Transactions. Roč. 48, č. 5 (2007), s. 936-939. ISSN 1345-9678. E-ISSN 1347-5320
Grant CEP: GA ČR GA202/04/0281
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20650511
Klíčová slova: electron microscopic contrasts * semiconductors * dopant contrast * scanning electron microscopy * scanning low energy electron microscopy * photoelectron emission microscopy
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 1.018, rok: 2007
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0145867 - 3.0082250 - ÚPT 2007 RIV JP eng J - Článek v odborném periodiku
Müllerová, Ilona - Konvalina, Ivo - Frank, Luděk
Acquisition of the Angular Distribution of Backscattered Electrons at Low Energies.
[Snímání úhlového rozdělení zpětně odražených elektronů při nízkých energiích.]
Materials Transactions. Roč. 48, č. 5 (2007), s. 940-943. ISSN 1345-9678. E-ISSN 1347-5320
Grant CEP: GA ČR GA102/05/2327; GA ČR GA202/04/0281
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20650511
Klíčová slova: angular distribution of backscattered electrons * scanning electron microscopy * low energy electron microscopy * cathode lens principle * multichannel detection of electrons * crystallinic contrast
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 1.018, rok: 2007
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0145866 - 4.0082249 - ÚPT 2007 RIV JP eng J - Článek v odborném periodiku
Frank, Luděk - Müllerová, Ilona - Matsuda, K. - Ikeno, S.
Cathode Lens Mode of the SEM in Materials Science Applications.
[Použití režimu katodové čočky v REM v materiálových vědách.]
Materials Transactions. Roč. 48, č. 5 (2007), s. 944-948. ISSN 1345-9678. E-ISSN 1347-5320
Grant CEP: GA ČR GA102/05/2327; GA ČR GA202/04/0281
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20650511
Klíčová slova: electron microscopy of materials * scanning electron microscopy * low energy electron microscopy * cathode lens
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 1.018, rok: 2007
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0145865 - 5.0044288 - ÚPT 2007 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Frank, Luděk - Müllerová, Ilona
The Scanning Low Energy Electron Microscopy (SLEEM) Mode in SEM.
[Režim rastrovací nízkoenergiové elektronové mikroskopie (SLEEM) v REM.]
Microscopy and Microanalysis. Roč. 12, Suppl. 2 (2006), s. 152-153. ISSN 1431-9276. E-ISSN 1435-8115
Grant CEP: GA ČR GA202/04/0281
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20650511
Klíčová slova: SEM * low energy electrons * SLEEM
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 2.108, rok: 2006
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0137111 - 6.0043926 - ÚPT 2007 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Frank, Luděk - Müllerová, Ilona - Valdaitsev, D. - Gloskovskii, A. - Nepijko, S. - Elmers, H. - Schönhense, G.
The origin of contrast in the imaging of doped areas in silicon by slow electrons.
[Původ kontrastu v zobrazení dopované oblasti křemíku pomocí pomalých elektronů.]
Journal of Applied Physics. Roč. 100, č. 9 (2006), 093712:1-5. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
Grant CEP: GA ČR GA202/04/0281
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20650511
Klíčová slova: PEEM * dopant contrast * silicon * semiconductors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 2.316, rok: 2006
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0136817 - 7.0022803 - ÚPT 2006 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Frank, Luděk - Müllerová, Ilona
The injected-charse contrast mechanism in scanned imaging of doped semiconductors by very slow electrons.
[Kontrastní mechanismus injektovaného náboje v rastrovaném zobrazení dopovaných polovodičů velmi pomalými elektrony.]
Ultramicroscopy. Roč. 106, č. 1 (2005), s. 28-36. ISSN 0304-3991. E-ISSN 1879-2723
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA202/04/0281
Klíčová slova: Low-energy electrons * SEM * Dopant contrast
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.490, rok: 2005
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0111513