Výsledky vyhledávání
- 1.0577954 - FZÚ 2024 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Mirza, M. Inam - Bulgakov, Alexander V. - Sopha, H. - Starinskiy, S.V. - Turčičová, Hana - Novák, Ondřej - Mužík, Jiří - Smrž, Martin - Volodin, V.A. - Mocek, Tomáš - Macák, J. M. - Bulgakova, Nadezhda M.
Non-thermal regimes of laser annealing of semiconductor nanostructures: crystallization without melting.
Frontiers in nanotechnology. Roč. 5, Oct. (2023), č. článku 1271832. ISSN 2673-3013. E-ISSN 2673-3013
Grant CEP: GA MŠMT EF15_003/0000445; GA MŠMT EF15_006/0000674
Grant ostatní: OP VVV - BIATRI(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/15_003/0000445; OP VVV - HiLASE-CoE(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/15_006/0000674
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: amorphous titania nanotubes * ultrashort laser pulses * laser-induced crystallization * non-thermal processes * stress waves * multilayer nanofilms * selective annealing
Obor OECD: Optics (including laser optics and quantum optics)
Impakt faktor: 4.1, rok: 2023
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0347032Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0577954.pdf 0 3.1 MB CC licence Vydavatelský postprint povolen - 2.0577936 - FZÚ 2024 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Cheng, Y. - Bulgakov, Alexander V. - Bulgakova, Nadezhda M. - Beránek, Jiří - Zukerstein, Martin - Milekhin, I.A. - Popov, A. A. - Volodin, V.A.
Ultrafast infrared laser crystallization of amorphous Ge films on glass substrates.
Micromachines. Roč. 14, č. 11 (2023), č. článku 2048. ISSN 2072-666X. E-ISSN 2072-666X
Grant CEP: GA MŠMT EF15_003/0000445
Grant ostatní: OP VVV - BIATRI(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/15_003/0000445
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: germanium * thin films * ultrashort infrared laser annealing * crystallization * Raman spectroscopy * nonrefractory substrates
Obor OECD: Optics (including laser optics and quantum optics)
Impakt faktor: 3, rok: 2023
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0347013Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0577936.pdf 0 5.5 MB CC licence Vydavatelský postprint povolen - 3.0571963 - FZÚ 2024 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Bulgakov, Alexander V. - Beránek, Jiří - Volodin, V.A. - Cheng, Y. - Levy, Yoann - Nagisetty, S.S. - Zukerstein, Martin - Popov, A. A. - Bulgakova, Nadezhda M.
Ultrafast infrared laser crystallization of amorphous Si/Ge multilayer structures.
Materials. Roč. 16, č. 9 (2023), č. článku 3572. ISSN 1996-1944. E-ISSN 1996-1944
Grant CEP: GA MŠMT EF15_003/0000445
Grant ostatní: OP VVV - BIATRI(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/15_003/0000445
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: silicon–germanium multilayer structures * thin films * ultrashort infrared laser annealing * selective crystallization * defect accumulation * Raman spectroscopy
Obor OECD: Optics (including laser optics and quantum optics)
Impakt faktor: 3.1, rok: 2023
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0342818Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0571963.pdf 0 11.6 MB CC licence Vydavatelský postprint povolen - 4.0571614 - FZÚ 2024 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Volodin, V.A. - Cheng, Y.-Z. - Bulgakov, Alexander V. - Levy, Yoann - Beránek, Jiří - Nagisetty, Siva S. - Zukerstein, Martin - Popov, A. A. - Bulgakova, Nadezhda M.
Single-shot selective femtosecond and picosecond infrared laser crystallization of an amorphous Ge/Si multilayer stack.
Optics and Laser Technology. Roč. 161, June (2023), č. článku 109161. ISSN 0030-3992. E-ISSN 1879-2545
Grant CEP: GA MŠMT EF15_003/0000445
Grant ostatní: OP VVV - BIATRI(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/15_003/0000445
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: Germanium/silicon multilayer stack * ultrashort infrared laser crystallization * selective crystallization * explosive low-temperature crystallization * Raman spectroscopy * nonlinear light absorption
Obor OECD: Optics (including laser optics and quantum optics)
Impakt faktor: 4.6, rok: 2023
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.optlastec.2023.109161
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0349444 - 5.0556274 - FZÚ 2023 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Starinskyi, S.V. - Safonov, A.I. - Shukhov, Y.G. - Sulyeva, V.S. - Korolkov, I.V. - Volodin, V.A. - Kibis, L.S. - Bulgakov, Alexander V.
Nanostructured silver substrates produced by cluster-assisted gas jet deposition for surface-enhanced Raman spectroscopy.
Vacuum. Roč. 199, May (2022), č. článku 110929. ISSN 0042-207X. E-ISSN 1879-2715
Grant CEP: GA MŠMT EF15_003/0000445
Grant ostatní: OP VVV - BIATRI(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/15_003/0000445
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: nanostructured films * silver clusters * gas jet deposition * supersonic jet * mass spectrometry * surface-enhanced Raman spectroscopy * plasmonics
Obor OECD: Optics (including laser optics and quantum optics)
Impakt faktor: 4, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2022.110929
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0330559 - 6.0539099 - FZÚ 2021 RIV FR eng J - Článek v odborném periodiku
Remeš, Zdeněk - Stuchlík, Jiří - Stuchlíková, The-Ha - Kupčík, Jaroslav - Mortet, Vincent - Taylor, Andrew - Ashcheulov, Petr - Volodin, V.A.
Electroluminescence of thin film p-i-n diodes based on a-SiC:H with integrated Ge nanoparticles star.
European Physical Journal-Applied Physics. Roč. 88, č. 3 (2020), s. 1-6, č. článku 30302. ISSN 1286-0042. E-ISSN 1286-0050
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR GC19-02858J
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: CVD * hydrogenated amorphous silicone carbide * Ge nanoparticles * thin film diodes * electroluminescence
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 0.993, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1051/epjap/2020190253
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0316845 - 7.0511026 - FZÚ 2020 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Stuchlíková, The-Ha - Remeš, Zdeněk - Mortet, Vincent - Taylor, Andrew - Ashcheulov, Petr - Stuchlík, Jiří - Volodin, V.A.
Electrical and optical characteristics of boron doped nanocrystalline diamond films.
Vacuum. Roč. 168, Oct (2019), s. 1-4, č. článku 108813. ISSN 0042-207X. E-ISSN 1879-2715
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR GA17-05259S; GA AV ČR(CZ) Fellowship J. E. Purkyně
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760; AV ČR(CZ) Fellowship J. E. Purkyně
Program: Fellowship J. E. Purkyně
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: Raman spectroscopy * boron doped diamond * photothermal deflection spectroscopy
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 2.906, rok: 2019
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2019.108813
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0301381 - 8.0496460 - FZÚ 2019 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Volodin, V.A. - Mortet, Vincent - Taylor, Andrew - Remeš, Zdeněk - Stuchlíková, The-Ha - Stuchlík, Jiří
Raman scattering in boron doped nanocrystalline diamond films: Manifestation of Fano interference and phonon confinement effect.
Solid State Communications. Roč. 276, Aug (2018), s. 33-36. ISSN 0038-1098. E-ISSN 1879-2766
Grant CEP: GA ČR GA17-05259S; GA AV ČR(CZ) Fellowship J. E. Purkyně; GA MŠMT(CZ) LTC17029
Grant ostatní: AV ČR(CZ) Fellowship J. E. Purkyně
Program: Fellowship J. E. Purkyně
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: Raman scattering * Diamond * Fano interference
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.433, rok: 2018
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0289331 - 9.0479788 - FZÚ 2018 RIV RU eng J - Článek v odborném periodiku
Krivyakin, G.K. - Volodin, V.A. - Shklyaev, A.A. - Mortet, Vincent - More Chevalier, Joris - Ashcheulov, Petr - Remeš, Zdeněk - Stuchlíková, The-Ha - Stuchlík, Jiří
Formation and study of p–i–n structures based on two-phase hydrogenated silicon with a germanium layer in the i-type region.
Semiconductors. Roč. 51, č. 10 (2017), s. 1370-1376. ISSN 1063-7826. E-ISSN 1090-6479
Grant CEP: GA ČR GA13-31783S
Grant ostatní: AV ČR(CZ) KONNECT-007
Program: Bilaterální spolupráce
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: PIN * a-Si:H * Ge
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 0.672, rok: 2017
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0275723 - 10.0471001 - FZÚ 2017 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Dvurechenskii, A.V. - Volodin, V.A. - Krivyakin, G.K. - Shklyaev, A.A. - Kochubei, S.A. - Neizvestny, I.G. - Stuchlík, Jiří
Raman studies of phase and atomic compositions of GeSi nanosystems after pulsed annealing.
Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. Roč. 52, č. 5 (2016), 496-500. ISSN 8756-6990. E-ISSN 1934-7944
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: Raman scattering * phonons * silicon * germanium
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0268488