Výsledky vyhledávání
- 1.0396713 - ÚFE 2014 RIV FR eng J - Článek v odborném periodiku
Grym, Jan - Nohavica, Dušan - Gladkov, Petar - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Piksová, K.
Epitaxial growth on porous GaAs substrates.
Comptes Rendus Chimie. Roč. 16, č. 1 (2013), s. 59-64. ISSN 1631-0748. E-ISSN 1878-1543
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GAP108/10/0253
Institucionální podpora: RVO:67985882 ; RVO:68378271
Klíčová slova: Electrochemical etching * Porous semiconductors * Epitaxial growth * GaAs
Kód oboru RIV: BH - Optika, masery a lasery; JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika (FZU-D)
Impakt faktor: 1.483, rok: 2013
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0224448 - 2.0387856 - ÚFE 2013 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Nohavica, Dušan - Grym, Jan - Gladkov, Petar - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Jarchovský, Zdeněk
Thermal conversion and epitaxial overgrowth of nanopores etched in InP and GaAs.
International Journal of Nanotechnology. Roč. 9, 8-9 (2012), s. 732-745. ISSN 1475-7435. E-ISSN 1741-8151
Grant CEP: GA ČR GAP108/10/0253
Institucionální podpora: RVO:67985882 ; RVO:68378271
Klíčová slova: growth * nanoporus
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika; BM - Fyzika pevných látek a magnetismus (FZU-D)
Impakt faktor: 1.087, rok: 2012
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0216887 - 3.0387641 - ÚFE 2013 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Grym, Jan - Nohavica, Dušan - Vaniš, Jan - Piksová, K.
Preparation of nanoporous GaAs substrates for epitaxial growth.
Physica Status Solidi C. Roč. 9, č. 7 (2012), s. 1531-1533. ISSN 1862-6351.
[16th International Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC-XVI). Stockholm, 19.06.2011-23.06.2011]
Grant CEP: GA ČR GAP108/10/0253
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: semiconductor technology * porous semiconductors * epitaxial growth
Kód oboru RIV: JJ - Ostatní materiály
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0220314 - 4.0368042 - ÚFE 2012 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Nohavica, Dušan - Gladkov, Petar - Grym, Jan - Jarchovský, Zdeněk
Laser assisted electrochemical preparation of micro and nanopores in GaxIn1-xP.
Journal of Nanoparticle Research. Roč. 13, č. 11 (2011), s. 5873-5877. ISSN 1388-0764. E-ISSN 1572-896X
Grant CEP: GA ČR GAP108/10/0253
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: Anodizace * GaInP * Nanopory
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 3.287, rok: 2011
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0202513 - 5.0359526 - FZÚ 2012 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan - Oswald, Jiří - Vetushka, Aliaksi - Caha, O. - Hazdra, P. - Kuldová, Karla - Hulicius, Eduard
InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime.
Journal of Crystal Growth. Roč. 317, č. 1 (2011), s. 39-42. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GAP108/10/0253; GA MŠMT LC510; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: low dimensional structures * photoluminescence * low-pressure MOVPE * InAs/GaAs quantum dots * semiconducting III–V materials
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.726, rok: 2011
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0197302