Výsledky vyhledávání
- 1.0575223 - FZÚ 2024 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Miliaieva, Daria - Djoumessi, A.S. - Čermák, Jan - Kolářová, Kateřina - Schaal, M. - Otto, F. - Shagieva, Ekaterina - Romanyuk, Olexandr - Pangrác, Jiří - Kuliček, J. - Nádaždy, V. - Stehlík, Štěpán - Kromka, Alexander - Hoppe, H. - Rezek, B.
Absolute energy levels in nanodiamonds of different origins and surface chemistries.
Nanoscale Advances. Roč. 5, č. 17 (2023), s. 4402-4414. ISSN 2516-0230. E-ISSN 2516-0230
Grant CEP: GA MŠMT LM2023051; GA ČR(CZ) GC20-20991J
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: nanodiamonds * energy levels * surface chemistry
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4.7, rok: 2022
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0345121Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0575223.pdf 0 1.8 MB CC licence Vydavatelský postprint povolen - 2.0574605 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Hájek, František - Jarý, Vítězslav - Hubáček, Tomáš - Dominec, Filip - Hospodková, Alice - Kuldová, Karla - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Vaněk, Tomáš - Buryi, Maksym - Ledoux, G. - Dujardin, C.
Donor-acceptor pairs recombination as the origin of the emission shift in InGaN/GaN scintillator heterostructures doped with Zn.
ECS Journal of Solid State Science and Technology. Roč. 12, č. 6 (2023), č. článku 066004. ISSN 2162-8769. E-ISSN 2162-8777
Grant CEP: GA ČR(CZ) GJ20-05497Y
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: nitrides * scintillator * defects * luminescence
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 2.2, rok: 2022
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0346913Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0574605.pdf 0 2.3 MB licence CC BY-NC-ND Vydavatelský postprint povolen - 3.0572001 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Gedeonová, Zuzana - Hubík, Pavel - Hývl, Matěj - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Košutová, Tereza
Electron transport properties in high electron mobility transistor structures improved by V-Pit formation on the AlGaN/GaN interface.
ACS Applied Materials and Interfaces. Roč. 15, č. 15 (2023), s. 19646-19652. ISSN 1944-8244. E-ISSN 1944-8252
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA ČR(CZ) GF22-28001K; GA MŠMT LM2023051
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: HEMT * GaN * AlGaN * metal-organic vapor phase epitaxy * dislocations * electron mobility
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 9.5, rok: 2022
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0342845Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0572001.pdf 0 4.8 MB CC Licence Vydavatelský postprint povolen - 4.0570390 - FZÚ 2024 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hubáček, Tomáš - Kuldová, Karla - Gedeonová, Zuzana - Hájek, František - Košutová, Tereza - Banerjee, Swarnendu - Hubík, Pavel - Pangrác, Jiří - Vaněk, Tomáš - Hospodková, Alice
Impact of Ge doping on MOVPE grown InGaN layers.
Journal of Crystal Growth. Roč. 604, Feb (2023), č. článku 127043. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA ČR(CZ) GJ20-05497Y
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: germanium * MOVPE * InGaN * nitrides * photoluminescence * doping
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.8, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.127043
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0341707 - 5.0569330 - FZÚ 2024 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Gedeonová, Zuzana - Hubík, Pavel - Mareš, Jiří J. - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Kuldová, Karla - Hulicius, Eduard
Electron mobility in GaN layers and HEMT structure optimized by MOVPE technological parameters.
Journal of Crystal Growth. Roč. 605, March (2023), č. článku 127061. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA ČR(CZ) GF22-28001K
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: HEMT * GAN * metalorganic vapor phase epitaxy
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.8, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.127061
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0342034 - 6.0562801 - FZÚ 2023 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Čížek, J. - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Kuldová, Karla - Batysta, Jan - Liedke, M.O. - Hirschmann, E. - Butterling, M. - Wagner, A.
Relation between Ga vacancies, photoluminescence, and growth conditions of MOVPE-prepared GaN layers.
Materials. Roč. 15, č. 19 (2022), č. článku 6916. E-ISSN 1996-1944
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA ČR(CZ) GF22-28001K; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Grant ostatní: AV ČR(CZ) PAN-20-19; OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Program: Bilaterální spolupráce
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaN * defects * positron annihilation spectroscopy * photoluminescence * MOVPE
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.4, rok: 2022
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0334994Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0562801.pdf 0 4 MB CC licence Vydavatelský postprint povolen - 7.0543533 - FZÚ 2022 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Hájek, František - Hospodková, Alice - Hubík, Pavel - Gedeonová, Zuzana - Hubáček, Tomáš - Pangrác, Jiří - Kuldová, Karla
Transport properties of AlGaN/GaN HEMT structures with back barrier: impact of dislocation density and improved design.
Semiconductor Science and Technology. Roč. 36, č. 7 (2021), č. článku 075016. ISSN 0268-1242. E-ISSN 1361-6641
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: HEMT * GaN * metalorganic vapor phase epitaxy
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 2.048, rok: 2021
Způsob publikování: Open access s časovým embargem
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0320728Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0543533.pdf 1 1.1 MB Autorský postprint povolen - 8.0542805 - FZÚ 2022 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Vaněk, Tomáš - Hájek, František - Dominec, Filip - Hubáček, Tomáš - Kuldová, Karla - Pangrác, Jiří - Košutová, Tereza - Kejzlar, P. - Bábor, P. - Lachowski, A. - Hospodková, Alice
Luminescence redshift of thick InGaN/GaN heterostructures induced by the migration of surface adsorbed atoms.
Journal of Crystal Growth. Roč. 565, July (2021), č. článku 126151. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA MŠMT LM2018110; GA TA ČR(CZ) FW03010298
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: characterization * growth models * MOVPE * nitrides * scintillators
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.830, rok: 2021
Způsob publikování: Open access s časovým embargem
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0320191Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0542805.pdf 0 1.1 MB Autorský postprint povolen - 9.0542725 - FZÚ 2022 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hájek, František - Hospodková, Alice - Hubáček, Tomáš - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Horešovský, Robert - Kuldová, Karla
Depth profile of acceptor concentration in InGaN/GaN multiple quantum wells.
Journal of Luminescence. Roč. 236, Aug (2021), č. článku 118127. ISSN 0022-2313. E-ISSN 1872-7883
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA TA ČR(CZ) FW03010298
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: nitrides * impurity * SIMS * InGaN/GaN
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4.171, rok: 2021
Způsob publikování: Open access s časovým embargem
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0320090Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0542725.pdf 4 1 MB Autorský postprint povolen - 10.0541737 - FZÚ 2022 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Stehlík, Štěpán - Henych, Jiří - Štenclová, Pavla - Král, Robert - Zemenová, Petra - Pangrác, Jiří - Vaňek, O. - Kromka, Alexander - Rezek, B.
Size and nitrogen inhomogeneity in detonation and laser synthesized primary nanodiamond particles revealed via salt-assisted deaggregation.
Carbon. Roč. 171, Jan (2021), s. 230-239. ISSN 0008-6223. E-ISSN 1873-3891
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA MŠMT LM2018110; GA ČR(CZ) GJ18-11711Y
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:61388980
Klíčová slova: detonation nanodiamond * salt-assisted ultrasonic deaggregation * size distribution * colloidal solution * nitrogen * inhomogeneity * surface chemistry
Obor OECD: Nano-materials (production and properties); Inorganic and nuclear chemistry (UACH-T)
Impakt faktor: 11.307, rok: 2021
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.carbon.2020.09.026
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0319266