Výsledky vyhledávání
- 1.0163302 - UACH-T 20013175 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Valenta, J. - Dian, J. - Luterová, Kateřina - Pelant, Ivan - Buršík, Josef - Nižňanský, Daniel
Electroluminescence from sol-gel derived film of CdS nanocrystals.
Physica Status Solidi A. Roč. 184, č. 2 (2001), s. R1-R3. ISSN 0031-8965
Grant CEP: GA ČR GA202/98/0669
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z4032918
Klíčová slova: light * emitting * diodes
Kód oboru RIV: CA - Anorganická chemie
Impakt faktor: 1.025, rok: 2001
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0060554 - 2.0134596 - FZU-D 20030496 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Kočka, Jan - Fejfar, Antonín - Stuchlíková, The-Ha - Stuchlík, Jiří - Fojtík, Petr - Mates, Tomáš - Rezek, Bohuslav - Luterová, Kateřina - Švrček, Vladimír - Pelant, Ivan
Basic features of transport in microcrystalline silicon.
Solar Energy Materials and Solar Cells. Roč. 78, - (2003), s. 493-512. ISSN 0927-0248. E-ISSN 1879-3398
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010809; GA AV ČR IAB2949101; GA ČR GA202/98/0669
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: charge transport * microcrystalline silicon * grain boundaries
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.188, rok: 2003
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032492 - 3.0133858 - FZU-D 20020037 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Pelant, Ivan - Fojtík, Petr - Luterová, Kateřina - Kočka, Jan - Poruba, Aleš - Štěpánek, J.
Electric-field-enhanced metal-induced crystallization of hydrogenated amorphous silicon at room temperature.
Applied Physics A - Materials Science & Processing. Roč. 74, - (2002), s. 557-560. ISSN 0947-8396. E-ISSN 1432-0630
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010809; GA ČR GA202/98/0669
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: crystallization * hydrogenated amorphous silicon * metal-induced crystallization
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.231, rok: 2002
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0000638 - 4.0133405 - FZU-D 20010203 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Švrček, Vladimír - Pelant, Ivan - Kočka, Jan - Fejfar, Antonín - Toušek, J. - Kondo, M. - Matsuda, A.
A new approach to surface photovoltage measurements on hydrogenated microcrystalline silicon layers.
Philosophical Magazine Letters. Roč. 81, č. 6 (2001), s. 405-410. ISSN 0950-0839. E-ISSN 1362-3036
Grant CEP: GA ČR GA202/98/0669; GA AV ČR IAA1010809
Výzkumný záměr: CEZ:A02/98:Z1-010-914
Klíčová slova: surface photvoltage * microcrystalline silicon * diffusion length
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.346, rok: 2001
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031374 - 5.0133391 - FZU-D 20010188 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Kočka, Jan - Stuchlíková, Hana - Stuchlík, Jiří - Rezek, Bohuslav - Švrček, Vladimír - Fojtík, Petr - Pelant, Ivan - Fejfar, Antonín
Microcrystalline silicon - relation between transport and microstructure.
Solid State Phenomena. 80-81, - (2001), s. 213-224. ISSN 1012-0394
Grant CEP: GA ČR GA202/98/0669; GA AV ČR IAA1010809
Výzkumný záměr: CEZ:A02/98:Z1-010-914
Klíčová slova: microcrystalline silicon * transport * microstructure
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.511, rok: 2001
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031360 - 6.0132975 - FZU-D 20000334 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Rezek, Bohuslav - Nebel, C. M. - Stutzmann, M.
Interfernce laser crystallization of microcrystalline silicon using asymmetric beam intensities.
Journal of Non-Crystalline Solids. 266-269, - (2000), s. 650-653. ISSN 0022-3093. E-ISSN 1873-4812
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010809; GA ČR GA202/98/0669
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.269, rok: 2000
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030967 - 7.0132974 - FZU-D 20000333 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Nakahata, K. - Kamiya, T. - Fortmann, C. M. - Shimizu, I. - Stuchlíková, Hana - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan
Anisotropic carrier transport in preferentially oriented polycrystalline silicon films fabricated by very-high-frequency plasma enhanced chemical vapor deposition using fluorinated source gas.
Journal of Non-Crystalline Solids. 266-269, - (2000), s. 341-346. ISSN 0022-3093. E-ISSN 1873-4812
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010809; GA ČR GA202/98/0669
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.269, rok: 2000
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030966 - 8.0132973 - FZU-D 20000332 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Fejfar, Antonín - Rezek, Bohuslav - Knápek, Petr - Stuchlík, Jiří - Kočka, Jan
Local electronic transport in microrystalline silicon observed by combined atomic force microscopy.
Journal of Non-Crystalline Solids. 266-269, - (2000), s. 309-314. ISSN 0022-3093. E-ISSN 1873-4812
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010809; GA ČR GA202/98/0669
Grant ostatní: JP(XC) NEDO
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.269, rok: 2000
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030965 - 9.0132972 - FZU-D 20000331 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Rezek, Bohuslav - Nebel, C. E. - Stutzmann, M.
Local photoconductivity correlation with granular structure of microcrystalline silicon thin films.
Journal of Non-Crystalline Solids. 266-269, - (2000), s. 315-318. ISSN 0022-3093. E-ISSN 1873-4812
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010809; GA ČR GA202/98/0669
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.269, rok: 2000
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030964 - 10.0132920 - FZU-D 20000177 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Luterová, Kateřina - Fojtík, Petr - Poruba, Aleš - Dian, J. - Valenta, J. - Stuchlíková, Hana - Štěpánek, J. - Kočka, Jan - Pelant, Ivan
Light emitting wide band gap a-Si:H deposited by microwave electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapour deposition.
Journal of Non-Crystalline Solids. 266-269, - (2000), s. 583-587. ISSN 0022-3093. E-ISSN 1873-4812
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010809; GA AV ČR IAB1112901; GA ČR GA202/98/0669
Grant ostatní: NATO grant(XX) HTECH.LG972051
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.269, rok: 2000
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030912