Košík

0564769 - FZÚ 2023 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Buryi, Maksym - Babin, Vladimir - Hubáček, Tomáš - Jarý, Vítězslav - Hájek, František - Kuldová, Karla - Remeš, Zdeněk - Hospodková, Alice
Optical properties of epitaxially grown GaN:Ge thin films.
Optical Materials: X. Roč. 16, Oct. (2022), č. článku 100211. ISSN 2590-1478
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR(CZ) GJ20-05497Y
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaN * thin films * Ge doping * luminescence
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0336364