Košík

  1. 1.
    0561462 - FZÚ 2023 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
    Buryi, Maksym - Babin, Vladimir - Hubáček, Tomáš - Jarý, Vítězslav - Hájek, František - Kuldová, Karla - Artemenko, Anna - Hospodková, Alice
    The influence of Si on the properties of MOVPE grown GaN thin films: Optical and EPR study.
    Radiation Measurements. Roč. 157, Sep (2022), č. článku 106842. ISSN 1350-4487. E-ISSN 1879-0925
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GJ20-05497Y
    Výzkumná infrastruktura: CzechNanoLab - 90110
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: GaN * thin films * Si doping * luminescence * EPR
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 2, rok: 2022
    Způsob publikování: Omezený přístup
    https://doi.org/10.1016/j.radmeas.2022.106842
    Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0334173
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.