0540751 - FZÚ 2021 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Izsák, Tibor - Vanko, G. - Držík, M. - Kasemann, S. - Zehetner, J. - Vojs, M. - Zaťko, B. - Potocký, Štěpán - Kromka, AlexanderFront-side diamond deposition on the GaN membranes.
Proceedings of the 13th International Conference on Advanced Semiconductor Devices And Microsystems. New York: IEEE, 2020 - (Vanko, G.; Izsák, T.), s. 42-45. ISBN 978-1-7281-9776-0.
[International Conference on Advanced Semiconductor Devices And Microsystems - (ASDAM) /13./. Smolenice (SK), 11.10.2020-14.10.2020]
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT(CZ) 8X20035; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: diamond * GaN * CVD * stress
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0318357
