Košík

  1. 1.
    0539691 - FZÚ 2021 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Mallada Faes, Benjamin Jose - Edalatmanesh, S. - Lazar, P. - López, Roso Redondo Jesús R. - Gallardo Caparrós, Aurelio Jesús - Zbořil, Radek - Jelínek, Pavel - Švec, Martin - De La Torre Cerdeño, Bruno
    Atomic-scale charge distribution mapping of single substitutional p- and n-type dopants in graphene.
    ACS Sustainable Chemistry & Engineering. Roč. 8, č. 8 (2020), s. 3437-3444. ISSN 2168-0485
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GA18-09914S; GA ČR(CZ) GX19-27454X; GA ČR GJ17-24210Y
    Grant ostatní:AV ČR(CZ) AP1601
    Program:Akademická prémie - Praemium Academiae
    Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:61388963
    Klíčová slova: electronic-structure * SPM * graphene * doping * DFT
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus; CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie (UOCHB-X)
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.); Physical chemistry (UOCHB-X)
    Impakt faktor: 7.632, rok: 2019
    https://doi.org/10.1021/acssuschemeng.9b07623
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0317401