Košík

0536230 - FZÚ 2021 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Stuchlíková, The-Ha - Stuchlík, Jiří - Remeš, Zdeněk - Taylor, Andrew - Mortet, Vincent - Ashcheulov, Petr - Gregora, Ivan - Krivyakin, G. - Volodin, V.
High-temperature PIN diodes based on amorphous hydrogenated silicon-carbon alloys and boron-doped diamond thin films.
Physica Status Solidi B. Roč. 257, č. 6 (2020), s. 1-6, č. článku 1900247. ISSN 0370-1972. E-ISSN 1521-3951
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR GC19-02858J
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: a-SiC:H * boron-doped diamond * fluorine-doped tin oxide * I-V characteristics * PIN diodes * BDD * FTO
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.710, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1002/pssb.201900247
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0314043