Košík

0496473 - FZÚ 2019 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Dragounová, Kateřina - Ižák, Tibor - Kromka, Alexander - Potůček, Z. - Bryknar, Z. - Potocký, Štěpán
Influence of the growth temperature on the Si-V photoluminescence in diamond thin films.
Applied Physics A - Materials Science & Processing. Roč. 124, č. 3 (2018), s. 1-5, č. článku 219. ISSN 0947-8396. E-ISSN 1432-0630
Grant CEP: GA ČR GC15-22102J
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: cvd diamond * silicon-vacancy centre * photoluminescence * microwave plasma
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.784, rok: 2018
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0289243