Košík

0466113 - FZÚ 2017 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Romanyuk, Olexandr - Supplie, O. - Susi, T. - May, M.M. - Hannappel, T.
Ab initio density functional theory study on the atomic and electronic structure of GaP/Si(001) heterointerfaces.
Physical Review B. Roč. 94, č. 15 (2016), s. 1-9, č. článku 155309. ISSN 2469-9950. E-ISSN 2469-9969
Grant CEP: GA ČR GF16-34856L
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: interface structure * GaP/Si heterointerface * interface electronic states * core-level shifts
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.836, rok: 2016
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0264517