Košík

0464844 - FZÚ 2017 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Vanko, G. - Ižák, Tibor - Babchenko, O. - Kromka, Alexander
Diamond coated AlGaN/GaN high electron mobility transistors - effect of deposition process on gate electrode.
NANOCON 2015 Conference Proceedings. Ostrava: Tanger Ltd., 2015 - (Shrbená, J.; Zbořil, R.), s. 168-173. ISBN 978-80-87294-59-8.
[NANOCON 2015. International Conference /7./. Brno (CZ), 14.10.2015-16.10.2015]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-16549P
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaN HEMT * CVD diamond * iridium oxide * thermal stability * IV characteristics
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0263605