Košík

  1. 1.
    0448576 - FZÚ 2016 RIV RU eng J - Článek v odborném periodiku
    Bagraev, N.T. - Danilovskii, E.Yu. - Gets, D.S. - Kalabukhova, E.N. - Klyachkin, L.E. - Koudryavtsev, A.A. - Malyarenko, A.M. - Mashkov, V.A. - Savchenko, Dariia - Shanina, B.D.
    Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructur.
    Semiconductors. Roč. 49, č. 5 (2015), 649-657. ISSN 1063-7826. E-ISSN 1090-6479
    Grant CEP: GA ČR GP13-06697P; GA MŠMT(CZ) LM2011029
    Grant ostatní: SAFMAT(XE) CZ.2.16/3.1.00/22132
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: electron spin resonance * 6H-SiC nanostructures * silicon vacancy related centers * NV centers
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 0.701, rok: 2015
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0250232
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.