Košík

0361428 - FZÚ 2013 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hara, K. - Affolder, A.A. - Allport, P.P. - Bates, R. - Betancourt, C. - Böhm, Jan - Brown, H. - Buttar, C. - Carter, J. R. - Casse, G. - Mikeštíková, Marcela … celkem 74 autorů
Testing of bulk radiation damage of n-in-p silicon sensors for very high radiation environments.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. Roč. 636, č. 1 (2011), "S83"-"S89". ISSN 0168-9002. E-ISSN 1872-9576
Grant CEP: GA MŠMT LA08032
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100502
Klíčová slova: p-bulk silicon * microstrip * charge collection * radiation damage
Kód oboru RIV: BF - Elementární částice a fyzika vys. energií
Impakt faktor: 1.207, rok: 2011
http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2010.04.090
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0198740