Košík

0357129 - FZÚ 2011 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Mašek, Jan - Máca, František - Kudrnovský, Josef - Makarovský, O. - Eaves, L. - Campion, R. P. - Edmonds, K. W. - Rushforth, A.W. - Foxon, C. T. - Gallagher, B. L. - Novák, Vít - Sinova, Jairo - Jungwirth, Tomáš
Microscopic analysis of the valence band and impurity band theories of (Ga,Mn)As.
Physical Review Letters. Roč. 105, č. 22 (2010), 227202/1-227202/4. ISSN 0031-9007. E-ISSN 1079-7114
Grant CEP: GA ČR GA202/07/0456; GA MŠMT LC510; GA AV ČR KAN400100652
GRANT EU: European Commission(XE) 215368 - SemiSpinNet; European Commission(XE) 214499 - NAMASTE
Grant ostatní: AV ČR(CZ) AP0801
Program: Akademická prémie - Praemium Academiae
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100520
Klíčová slova: gallium arsenide * semiconductors
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 7.621, rok: 2010
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0195468