Košík

0335861 - FZÚ 2010 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Rushforth, A.W. - Výborný, Karel - King, C.S. - Edmonds, K. W. - Campion, R. P. - Foxon, C. T. - Wunderlich, J. - Irvine, A.C. - Novák, Vít - Olejník, Kamil - Kovalev, A.A. - Sinova, J. - Jungwirth, Tomáš - Gallagher, B. L.
The origin and control of the sources of AMR in (Ga,Mn)As devices.
[Příčiny a způsob ovládání AMR v součástkách z (Ga,Mn)As.]
Journal of Magnetism and Magnetic Materials. Roč. 321, č. 8 (2009), s. 1001-1008. ISSN 0304-8853. E-ISSN 1873-4766
Grant CEP: GA MŠMT LC510; GA AV ČR KAN400100652; GA ČR GEFON/06/E002; GA ČR GA202/05/0575; GA ČR GA202/04/1519
GRANT EU: European Commission(XE) 015728 - NANOSPIN
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: ferromagnetic semiconductor * anisotropic magnetoresistance
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.204, rok: 2009
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0180215