Košík

  1. 1.
    0323030 - FZÚ 2009 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Žďánský, Karel - Kozak, Halina - Sopko, B. - Pekárek, Ladislav
    Study of Schottky diodes made on Mn doped p-type InP.
    [Studium Šottkyho diod na InP dopovaném Mn.]
    Journal of Materials Science-Materials in Electronics. Roč. 19, č. 1 (2008), S333-S337. ISSN 0957-4522. E-ISSN 1573-482X
    Grant CEP: GA AV ČR KAN400670651
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100520
    Klíčová slova: Schottky effect * semiconductors * deep levels
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.054, rok: 2008
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0171112
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.