Košík

  1. 1.
    0100007 - UPT-D 20040007 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    El Gomati, M. M. - Wells, T. C. R. - Müllerová, Ilona - Frank, Luděk - Jayakody, H.
    Why is it That Differently Doped Regions in Semiconductors are Visible in Low Voltage SEM?
    [Proč jsou různě dopované oblasti v polovodiči viditelné v nízko-napěťovém REM?]
    IEEE Transactions on Electron Devices. Roč. 51, č. 2 (2004), s. 288-292. ISSN 0018-9383. E-ISSN 1557-9646
    Grant CEP: GA AV ČR IAA1065304
    Klíčová slova: doping of semiconductors * SEM imaging * inspection of patterns
    Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
    Impakt faktor: 2.036, rok: 2004
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0007514
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.