Košík

0088293 - ÚFE 2008 DE eng A - Abstrakt
Žďánský, Karel - Kozak, Halina - Sopko, B. - Pekárek, Ladislav
Study of Schottky diodes made on Mn doped p-type InP.
[Výzkum Schottkyho diod připravených na Mn dopovaném InP typu p.]
DRIP-XII 2007:12th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors. Programme & Abstracts. Berlin: [Forschungsverbund Berlin], 2007. s. 133--.
[DRIP /12./. 09.09.2007-13.09.2007, Berlin]
Grant CEP: GA AV ČR KAN400670651
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: Schottky effect * semiconductors * deep levels
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0149870