Košík

  1. 1.
    0480307 - FZÚ 2018 RIV CH eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Procházka, Václav - Ižák, Tibor - Kromka, Alexander
    Influence of buffers and culture media on diamond solution-gated field effect transistors regarding stability and memory effect.
    Proceedings (Basel, Switzerland). Vol. 1. Basel: MDPI, 2017, s. 1-4, č. článku 525. E-ISSN 2504-3900.
    [Eurosensors 2017. Paris (FR), 03.09.2017-06.09.2017]
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GBP108/12/G108
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: nanocrystalline diamond * field-effect transistor * transfer characteristics
    Obor OECD: Electrical and electronic engineering
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0276122
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.