Košík

0480307 - FZÚ 2018 RIV CH eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Procházka, Václav - Ižák, Tibor - Kromka, Alexander
Influence of buffers and culture media on diamond solution-gated field effect transistors regarding stability and memory effect.
Proceedings (Basel, Switzerland). Vol. 1. Basel: MDPI, 2017, s. 1-4, č. článku 525. E-ISSN 2504-3900.
[Eurosensors 2017. Paris (FR), 03.09.2017-06.09.2017]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GBP108/12/G108
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: nanocrystalline diamond * field-effect transistor * transfer characteristics
Obor OECD: Electrical and electronic engineering
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0276122