Košík

  1. 1.
    0304105 - URE-Y 20030017 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
    Vaniš, Jan - Chow, D. H. - Pangrác, Jiří - Šroubek, Filip - McGill, T. C. - Walachová, Jarmila
    Characterization of InAs/AlSb tunneling double barrier heterostructure by ballistic electron emission microscope with InAs as based electrode.
    Physica Status Solidi C. Roč. 0, č. 3 (2003), s. 986-991. ISSN 1610-1634.
    [EXMATEC 2002 - International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compounds Semiconductor Materials & Technologies /6./. Budapest, 26.05.2002-29.05.2002]
    Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104 Projekt 04/01:4045
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
    Klíčová slova: field emission electron microscopy * semiconductor quantum wells * spectroscopy
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114247
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.