0133478 - FZU-D 20010330 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Pelant, Ivan - Luterová, Kateřina - Fojtík, Petr - Rehspringer, J. L. - Muller, D. - Grob, J. J. - Dian, J. - Valenta, J. - Tomasiunas, R. - Hönerlange, B.Silicon-based light-emitting materials:implanted SiO
2 films and wide bandgap a-Si:H.
0-8197-4120-1. In:
Optical Organic and Inorganic Materials. Bellingham: SPIE, 2001 - (Ašmontas, S.; Gradauskas, J.), s. 66-75. Proceedings of SPIE., 4415. ISSN 0277-786X.
[International Conference on Advanced Materials and Devices /2./. Vilnius (LT), 16.04.2000-19.04.2000]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: amorphous silicon * implanted SiO
2 * silicon nanocrystals * photoluminescence * electroluminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031443
