Počet záznamů: 1
Defect structures in (001) zincblende GaN/3C-SiC nucleation layers
- 1.
SYSNO 0541992 Název Defect structures in (001) zincblende GaN/3C-SiC nucleation layers Tvůrce(i) Vacek, Petr (UFM-A) ORCID, RID
Frentrup, M. (GB)
Lee, L. Y. (GB)
Massabuau, Fabien C. P. (GB)
Kappers, Menno J. (GB)
Wallis, David J. (GB)
Gröger, Roman (UFM-A) RID, ORCID
Oliver, Rachel A. (GB)Korespondující/senior Vacek, Petr - Korespondující autor Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. Roč. 129, č. 15 (2021). - : AIP Publishing Číslo článku 155306 Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant EF16_027/0008056 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika Institucionální podpora UFM-A - RVO:68081723 Jazyk dok. eng Země vyd. US Klíč.slova stacking faults * gallium nitride * transmission electron microscopy URL https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0036366 Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0319746
Počet záznamů: 1