Počet záznamů: 1  

Growth and scintillation properties of 3 in. diameter Ce doped Gd.sub.3./sub.Ga.sub.3./sub.Al.sub.2./sub.O.sub.12./sub. scintillation single crystal

  1. 1.
    SYSNO0470883
    NázevGrowth and scintillation properties of 3 in. diameter Ce doped Gd3Ga3Al2O12 scintillation single crystal
    Tvůrce(i) Kamada, K. (JP)
    Shoji, Y. (JP)
    Kochurikhin, V.V. (JP)
    Okumura, S. (JP)
    Yamamoto, S. (JP)
    Nagura, A. (JP)
    Yeom, J.Y. (KR)
    Kurosawa, S. (JP)
    Yokota, Y. (JP)
    Ohashi, Y. (JP)
    Nikl, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Yoshikawa, A. (JP)
    Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. Roč. 452, Oct (2016), s. 81-84. - : Elsevier
    Konference American Conference on Crystal Growth and Epitaxy /20./ (ACCGE) / 17th Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE) / 2nd 2D Electronic Materials Symposium, 02.08.2015 - 07.08.2015, Big Sky, MT
    Druh dok.Článek v odborném periodiku
    Grant 644260, XE - země EU
    LH14266 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
    GJ15-18300Y GA ČR - Grantová agentura ČR
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.NL
    Klíč.slova single crystal growth * oxides * scintillator materials * scintillators
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0268397
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    0470883.pdf4315.6 KBAutorský postprintpovolen
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.