Počet záznamů: 1
Growth and scintillation properties of 3 in. diameter Ce doped Gd.sub.3./sub.Ga.sub.3./sub.Al.sub.2./sub.O.sub.12./sub. scintillation single crystal
- 1.
SYSNO 0470883 Název Growth and scintillation properties of 3 in. diameter Ce doped Gd3Ga3Al2O12 scintillation single crystal Tvůrce(i) Kamada, K. (JP)
Shoji, Y. (JP)
Kochurikhin, V.V. (JP)
Okumura, S. (JP)
Yamamoto, S. (JP)
Nagura, A. (JP)
Yeom, J.Y. (KR)
Kurosawa, S. (JP)
Yokota, Y. (JP)
Ohashi, Y. (JP)
Nikl, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Yoshikawa, A. (JP)Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. Roč. 452, Oct (2016), s. 81-84. - : Elsevier Konference American Conference on Crystal Growth and Epitaxy /20./ (ACCGE) / 17th Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE) / 2nd 2D Electronic Materials Symposium, 02.08.2015 - 07.08.2015, Big Sky, MT Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant 644260, XE - země EU LH14266 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika GJ15-18300Y GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Jazyk dok. eng Země vyd. NL Klíč.slova single crystal growth * oxides * scintillator materials * scintillators Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0268397 Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0470883.pdf 4 315.6 KB Autorský postprint povolen
Počet záznamů: 1