Počet záznamů: 1  

Ab initio density functional theory study on the atomic and electronic structure of GaP/Si(001) heterointerfaces

  1. 1.
    SYSNO0466113
    NázevAb initio density functional theory study on the atomic and electronic structure of GaP/Si(001) heterointerfaces
    Tvůrce(i) Romanyuk, Olexandr (FZU-D) RID, ORCID
    Supplie, O. (DE)
    Susi, T. (AT)
    May, M.M. (GB)
    Hannappel, T. (DE)
    Zdroj.dok. Physical Review B. Roč. 94, č. 15 (2016), s. 1-9. - : American Physical Society
    Číslo článku155309
    Druh dok.Článek v odborném periodiku
    Grant GF16-34856L GA ČR - Grantová agentura ČR
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.US
    Klíč.slova interface structure * GaP/Si heterointerface * interface electronic states * core-level shifts
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0264517
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.