Počet záznamů: 1  

MOVPE prepared InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb layer with long wavelength emission at 1.8 µm

  1. 1.
    SYSNO0448593
    NázevMOVPE prepared InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb layer with long wavelength emission at 1.8 µm
    Tvůrce(i) Zíková, Markéta (FZU-D) RID
    Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID
    Pangrác, Jiří (FZU-D) RID
    Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
    Krčil, Pavel (FZU-D)
    Hulicius, Eduard (FZU-D) RID
    Komninou, Ph. (GR)
    Kioseoglou, J. (GR)
    Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. Roč. 414, Mar (2015), 167-171. - : Elsevier
    Druh dok.Článek v odborném periodiku
    Grant GA13-15286S GA ČR - Grantová agentura ČR
    LM2011026 GA MŠk - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.NL
    Klíč.slova long emission wavelength * photocurrent * InAs quantum dots * MOVPE * GaAsSb layer
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0250242