Počet záznamů: 1
MOVPE prepared InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb layer with long wavelength emission at 1.8 µm
- 1.
SYSNO 0448593 Název MOVPE prepared InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb layer with long wavelength emission at 1.8 µm Tvůrce(i) Zíková, Markéta (FZU-D) RID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Krčil, Pavel (FZU-D)
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Komninou, Ph. (GR)
Kioseoglou, J. (GR)Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. Roč. 414, Mar (2015), 167-171. - : Elsevier Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant GA13-15286S GA ČR - Grantová agentura ČR LM2011026 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Jazyk dok. eng Země vyd. NL Klíč.slova long emission wavelength * photocurrent * InAs quantum dots * MOVPE * GaAsSb layer Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0250242
Počet záznamů: 1