Počet záznamů: 1  

Highly sensitive hydrogen sensor based on graphite-InP or graphite-GaN Schottky barrier with electrophoretically deposited Pd nanoparticles

  1. 1.
    SYSNO0368040
    NázevHighly sensitive hydrogen sensor based on graphite-InP or graphite-GaN Schottky barrier with electrophoretically deposited Pd nanoparticles
    Tvůrce(i) Žďánský, Karel (URE-Y)
    Zdroj.dok. Nanoscale Research Letters. Roč. 6, č. 490 (2011), s. 4901-49010. - : Springer
    Druh dok.Článek v odborném periodiku
    Grant OC10021 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
    CEZAV0Z20670512 - URE-Y (2005-2011)
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.US
    Klíč.slova semiconductor devices * nanostructures * sensors
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0202511
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.