Počet záznamů: 1  

GaAsSb strain reducing layers for InAs/GaAs quantum dot long wavelength and high efficiency emission

  1. 1.
    SYSNO0367155
    NázevGaAsSb strain reducing layers for InAs/GaAs quantum dot long wavelength and high efficiency emission
    Tvůrce(i) Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
    Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
    Vyskočil, Jan (FZU-D) RID
    Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Hazdra, P. (CZ)
    Zdroj.dok. EWMOVPE XIV. S. 105-108. - Wroclaw : Printing house of Wroclaw University of Technology, 2011 / Prazmowska J.
    Konference European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /14./, Wrocław, 05.06.2011-08.06.2011
    Druh dok.Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Grant GAP102/10/1201 GA ČR - Grantová agentura ČR
    GA202/09/0676 GA ČR - Grantová agentura ČR
    CEZAV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.PL
    Klíč.slova quantum dot * InAs * GaAs * GaAsSb strain reducing layer * photoluminescence
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0006666
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.