Počet záznamů: 1
GaAsSb strain reducing layers for InAs/GaAs quantum dot long wavelength and high efficiency emission
- 1.
SYSNO 0367155 Název GaAsSb strain reducing layers for InAs/GaAs quantum dot long wavelength and high efficiency emission Tvůrce(i) Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Vyskočil, Jan (FZU-D) RID
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Hazdra, P. (CZ)Zdroj.dok. EWMOVPE XIV. S. 105-108. - Wroclaw : Printing house of Wroclaw University of Technology, 2011 / Prazmowska J. Konference European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /14./, Wrocław, 05.06.2011-08.06.2011 Druh dok. Konferenční příspěvek (zahraniční konf.) Grant GAP102/10/1201 GA ČR - Grantová agentura ČR GA202/09/0676 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) Jazyk dok. eng Země vyd. PL Klíč.slova quantum dot * InAs * GaAs * GaAsSb strain reducing layer * photoluminescence Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0006666
Počet záznamů: 1