Počet záznamů: 1

Microscopic analysis of the valence band and impurity band theories of (Ga,Mn)As

SYSNO	0357129
Název	Microscopic analysis of the valence band and impurity band theories of (Ga,Mn)As
Tvůrce(i)	Mašek, Jan (FZU-D)_RID Máca, František (FZU-D)_{RID, ORCID} Kudrnovský, Josef (FZU-D)_{RID, ORCID} Makarovský, O. (GB) Eaves, L. (GB) Campion, R. P. (GB) Edmonds, K. W. (GB) Rushforth, A.W. (GB) Foxon, C. T. (GB) Gallagher, B. L. (GB) Novák, Vít (FZU-D)_{RID, ORCID} Sinova, Jairo (FZU-D)_{RID, ORCID} Jungwirth, Tomáš (FZU-D)_{RID, ORCID}
Zdroj.dok.	Physical Review Letters. Roč. 105, č. 22 (2010), 227202/1-227202/4. - : American Physical Society
Druh dok.	Článek v odborném periodiku
Grant	GA202/07/0456 GA ČR - Grantová agentura ČR
	LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
	KAN400100652 GA AV ČR - Akademie věd
	215368, XE - země EU
	214499, XE - země EU
	AP0801, CZ - Česká republika
CEZ	AV0Z10100520 - FZU-D (2005-2011)
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	US
Klíč.slova	gallium arsenide * semiconductors
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0195468

Počet záznamů: 1