Počet záznamů: 1
Constitutive equation of the dipole layer in hydrogen-sensing metal-oxide-semiconductor structures
- 1.
SYSNO 0356263 Název Constitutive equation of the dipole layer in hydrogen-sensing metal-oxide-semiconductor structures Tvůrce(i) Šrobár, Fedor (URE-Y)
Procházková, Olga (URE-Y)Zdroj.dok. Conference Proceedings ASDAM 2010. S. 275-278. - Piscataway : IEEE, 2010 / Breza J. ; Donoval D. Konference ASDAM 2010 - The Eighth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, Smolenice, 25.10.2010-27.10.2010 Druh dok. Konferenční příspěvek (zahraniční konf.) Grant GA102/09/1037 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z20670512 - URE-Y (2005-2011) Jazyk dok. eng Země vyd. US Klíč.slova Chemical sensors * Interface phenomena * Semiconductor devices Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0194831
Počet záznamů: 1