Počet záznamů: 1
Semi-insulating GaAs radiation detectors: PICTS study of neutron-induced defects
- 1.
SYSNO 0355867 Název Semi-insulating GaAs radiation detectors: PICTS study of neutron-induced defects Tvůrce(i) Dubecký, F. (SK)
Ladzianský, M. (SK)
Kindl, Dobroslav (FZU-D) RID
Nečas, V. (SK)Zdroj.dok. ASDAM 2010. S. 207-210. - Piscataway : IEEE, 2010 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinsky E. Konference ASDAM 2010 - The Eight International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, Smolenice Castle, 25.10.2010-27.10.2010 Druh dok. Konferenční příspěvek (zahraniční konf.) CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) Jazyk dok. eng Země vyd. US Klíč.slova SI GaAs detectors * neutron bombardment * deep levels * PICTS Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0006319
Počet záznamů: 1