Počet záznamů: 1
Anisotropic magnetoresistance of GaMnAs ferromagnetic semiconductors
- 1.
SYSNO 0353864 Název Anisotropic magnetoresistance of GaMnAs ferromagnetic semiconductors Tvůrce(i) Vašek, Petr (FZU-D) RID
Svoboda, Pavel (FZU-D)
Novák, Vít (FZU-D) RID, ORCID
Cukr, Miroslav (FZU-D)
Výborný, Karel (FZU-D) RID, ORCID
Jurka, Vlastimil (FZU-D) RID, ORCID
Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Orlita, Milan (FZU-D)
Maude, D. K. (FR)Zdroj.dok. Journal of Superconductivity and Novel Magnetism. Roč. 23, č. 6 (2010), 1161-1163. - : Springer Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant KAN400100652 GA AV ČR - Akademie věd MEB020928 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Egide 19535NF , XE - země EU CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) Jazyk dok. eng Země vyd. US Klíč.slova GaMnAs * anisotropic magnetoresistance * hydrogenation Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0192992
Počet záznamů: 1