Počet záznamů: 1
The Influence of Strong Electron and Hole Doping on the Raman Intensity of Chemical Vapor-Deposition Graphene
- 1.
SYSNO 0353061 Název The Influence of Strong Electron and Hole Doping on the Raman Intensity of Chemical Vapor-Deposition Graphene Tvůrce(i) Kalbáč, Martin (UFCH-W) RID, ORCID
Reina-Cecco, A. (US)
Farhat, H. (US)
Kong, J. (US)
Kavan, Ladislav (UFCH-W) RID, ORCID
Dresselhaus, M. S. (US)Zdroj.dok. ACS Nano. Roč. 4, č. 10 (2010), s. 6055-6063. - : American Chemical Society Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant IAA400400911 GA AV ČR - Akademie věd IAA400400804 GA AV ČR - Akademie věd KAN200100801 GA AV ČR - Akademie věd ME09060 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GC203/07/J067 GA ČR - Grantová agentura ČR GAP204/10/1677 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z40400503 - UFCH-W (2005-2011) Jazyk dok. eng Země vyd. US Klíč.slova graphene * Raman spectroscopy * spectroelectrochemistry Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0192407
Počet záznamů: 1