Počet záznamů: 1

Mapping of dopants by electron injection

SYSNO	0350658
Název	Mapping of dopants by electron injection
Tvůrce(i)	Hovorka, Miloš (UPT-D) Konvalina, Ivo (UPT-D)_{RID, ORCID, SAI} Frank, Luděk (UPT-D)_{RID, SAI, ORCID}
Zdroj.dok.	Proceedings of the 12th International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation. S. 15-16. - Brno : Institute of Scientific Instruments AS CR, v.v.i, 2010 / Mika F.
Konference	International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation /12./, Skalský dvůr, 31.05.2010-04.06.2010
Druh dok.	Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Grant	GP102/09/P543 GA ČR - Grantová agentura ČR
	IAA100650803 GA AV ČR - Akademie věd
CEZ	AV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011)
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	CZ
Klíč.slova	silicon structures * secondary electron emission * very low energy range * mapping dopants
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0190598

Počet záznamů: 1