Počet záznamů: 1

Raman scattering in silicon disordered by gold ion implantation

SYSNO	0346873
Název	Raman scattering in silicon disordered by gold ion implantation
Tvůrce(i)	Lavrentiev, Vasyl (UJF-V) [ONF]_{RID, ORCID, SAI} Vacík, Jiří (UJF-V) [ONF]_{RID, ORCID, SAI} Vorlíček, Vladimír (FZU-D)_RID Voseček, Václav (UJF-V) [ONF]_RID
Zdroj.dok.	Physica Status Solidi B : Basic Solid State Physics. Roč. 247, č. 8 (2010), s. 2022-2026. - : Wiley
Konference	8th International Conference on Optics of Surfaces and Interfaces (OSI-VIII), Ischia, 07.09.2009-11.09.2009
Druh dok.	Článek v odborném periodiku
Grant	IAA200480702 GA AV ČR - Akademie věd
	IAA400100701 GA AV ČR - Akademie věd
	KAN400480701 GA AV ČR - Akademie věd, CZ - Česká republika
	GA106/09/1264 GA ČR - Grantová agentura ČR
CEZ	AV0Z10480505 - UJF-V (2005-2011)
	AV0Z10100520 - FZU-D (2005-2011)
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	DE
Klíč.slova	ion implantation * Raman spectra * Rutherford backscattering spectroscopy
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0187786

Počet záznamů: 1