Počet záznamů: 1  

Electroluminescence in p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p(n)-GaSb type II heterostructures with deep quantum wells at the interface

  1. 1.
    SYSNO0342123
    NázevElectroluminescence in p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p(n)-GaSb type II heterostructures with deep quantum wells at the interface
    Tvůrce(i) Mikhailova, M. P. (RU) - Ivanov, E.V. (RU) - Moiseev, K. D. (RU) - Yakovlev, Yu. P. (RU) - Hulicius, Eduard (FZU-D) - Hospodková, Alice (FZU-D) - Pangrác, Jiří (FZU-D) - Šimeček, Tomislav (FZU-D)
    IdentifikaceHulicius, Eduard (FZU-D) RID, RIVID
    Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, RIVID
    Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, RIVID
    Zdroj.dok. Semiconductors. Roč. 44, č. 1 (2010), 66-71
    CEZAV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
    Druh dok.Článek v odborném periodiku
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.RU
    Klíč.slova electroluninescence * MOVPE * GaSb * InAs * quantum well
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0184942