Počet záznamů: 1
Electroluminescence in p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p(n)-GaSb type II heterostructures with deep quantum wells at the interface
- 1.
SYSNO 0342123 Název Electroluminescence in p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p(n)-GaSb type II heterostructures with deep quantum wells at the interface Tvůrce(i) Mikhailova, M. P. (RU)
Ivanov, E.V. (RU)
Moiseev, K. D. (RU)
Yakovlev, Yu. P. (RU)
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Šimeček, Tomislav (FZU-D)Zdroj.dok. Semiconductors. Roč. 44, č. 1 (2010), 66-71 Druh dok. Článek v odborném periodiku CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) Jazyk dok. eng Země vyd. RU Klíč.slova electroluninescence * MOVPE * GaSb * InAs * quantum well Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0184942
Počet záznamů: 1